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安装类型	表面贴装
长度	6.6mm
尺寸	6.6 x 6.2 x 2.4mm
典型关断延迟时间	40 ns
典型接通延迟时间	12 ns
典型输入电容值@Vds	680 pF @ 50 V
典型栅极电荷@Vgs	26 nC @ 10 V
封装类型	TO-252
高度	2.4mm
宽度	6.2mm
类别	功率 MOSFET
每片芯片元件数目	1
通道类型	N
通道模式	增强
系列	MDmesh K3, SuperMESH3
引脚数目	3
最大功率耗散	70 W
最大连续漏极电流	4.2 A
最大漏源电压	620 V
最大漏源电阻值	1.6 Ω
最大栅源电压	±30 V
最低工作温度	-55 °C
最高工作温度	+150 °C
关键词

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• N-channel 620 V, 1.28 Ohm, 4.2 A SuperMESH(TM) 3 Power MOSFET in IPAK