STD7N52K3,760-9604,STMicroelectronics MDmesh K3, SuperMESH3 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STD7N52K3, 6 A, Vds=525 V, 3引脚 TO-252封装 ,STMicroelectronics
ROHM代理商
专业代理销售ROHM(罗姆)全系列产品
美国1号分类选型新加坡2号分类选型英国10号分类选型英国2号分类选型日本5号分类选型

在本站结果里搜索:    
热门搜索词:万用表  电容  molex  连接器  NSX系列  63V 5mm  TDC180-5A  H8670VBAAA  804-8394  TDC180-5A

STMicroelectronics MDmesh K3, SuperMESH3 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STD7N52K3, 6 A, Vds=525 V, 3引脚 TO-252封装

制造商零件编号:
STD7N52K3
库存编号:
760-9604
STMicroelectronics STD7N52K3
声明:图片仅供参考,请以实物为准!

STD7N52K3产品详细信息

N 通道 MDmesh? K3 系列,SuperMESH3?, STMicroelectronics

STD7N52K3产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  6.6mm  
  尺寸  6.6 x 6.2 x 2.4mm  
  典型关断延迟时间  36 ns  
  典型接通延迟时间  13 ns  
  典型输入电容值@Vds  870 pF @ 100 V  
  典型栅极电荷@Vgs  33 nC @ 10 V  
  封装类型  TO-252  
  高度  2.4mm  
  宽度  6.2mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  系列  MDmesh K3, SuperMESH3  
  引脚数目  3  
  最大功率耗散  90 W  
  最大连续漏极电流  6 A  
  最大漏源电压  525 V  
  最大漏源电阻值  850 mΩ  
  最大栅源电压  ±30 V  
  最高工作温度  +150 °C  
关键词         

STD7N52K3相关搜索

安装类型 表面贴装  STMicroelectronics 安装类型 表面贴装  MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装   长度 6.6mm  STMicroelectronics 长度 6.6mm  MOSFET 晶体管 长度 6.6mm  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 长度 6.6mm   尺寸 6.6 x 6.2 x 2.4mm  STMicroelectronics 尺寸 6.6 x 6.2 x 2.4mm  MOSFET 晶体管 尺寸 6.6 x 6.2 x 2.4mm  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 尺寸 6.6 x 6.2 x 2.4mm   典型关断延迟时间 36 ns  STMicroelectronics 典型关断延迟时间 36 ns  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 36 ns  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 36 ns   典型接通延迟时间 13 ns  STMicroelectronics 典型接通延迟时间 13 ns  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 13 ns  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 13 ns   典型输入电容值@Vds 870 pF @ 100 V  STMicroelectronics 典型输入电容值@Vds 870 pF @ 100 V  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 870 pF @ 100 V  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 870 pF @ 100 V   典型栅极电荷@Vgs 33 nC @ 10 V  STMicroelectronics 典型栅极电荷@Vgs 33 nC @ 10 V  MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 33 nC @ 10 V  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 33 nC @ 10 V   封装类型 TO-252  STMicroelectronics 封装类型 TO-252  MOSFET 晶体管 封装类型 TO-252  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 封装类型 TO-252   高度 2.4mm  STMicroelectronics 高度 2.4mm  MOSFET 晶体管 高度 2.4mm  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 高度 2.4mm   宽度 6.2mm  STMicroelectronics 宽度 6.2mm  MOSFET 晶体管 宽度 6.2mm  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 宽度 6.2mm   类别 功率 MOSFET  STMicroelectronics 类别 功率 MOSFET  MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET   每片芯片元件数目 1  STMicroelectronics 每片芯片元件数目 1  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1   通道类型 N  STMicroelectronics 通道类型 N  MOSFET 晶体管 通道类型 N  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 通道类型 N   通道模式 增强  STMicroelectronics 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 通道模式 增强   系列 MDmesh K3, SuperMESH3  STMicroelectronics 系列 MDmesh K3, SuperMESH3  MOSFET 晶体管 系列 MDmesh K3, SuperMESH3  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 系列 MDmesh K3, SuperMESH3   引脚数目 3  STMicroelectronics 引脚数目 3  MOSFET 晶体管 引脚数目 3  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 引脚数目 3   最大功率耗散 90 W  STMicroelectronics 最大功率耗散 90 W  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 90 W  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 最大功率耗散 90 W   最大连续漏极电流 6 A  STMicroelectronics 最大连续漏极电流 6 A  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 6 A  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 6 A   最大漏源电压 525 V  STMicroelectronics 最大漏源电压 525 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 525 V  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 最大漏源电压 525 V   最大漏源电阻值 850 mΩ  STMicroelectronics 最大漏源电阻值 850 mΩ  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 850 mΩ  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 850 mΩ   最大栅源电压 ±30 V  STMicroelectronics 最大栅源电压 ±30 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±30 V  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±30 V   最高工作温度 +150 °C  STMicroelectronics 最高工作温度 +150 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  
电话:400-900-3095
QQ:800152669
ROHM半导体简介  |  ROHM产品  |  ROHM动态  |  产品应用  |  按产品系列选型  |  按产品规格选型  |  ROHM选型手册
Copyright © 2017 http://www.rohm-chip.com All Rights Reserved. 技术支持:电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号