STD2NK100Z,760-9562,STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STD2NK100Z, 1.85 A, Vds=1000 V, 3引脚 TO-252封装 ,STMicroelectronics
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STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STD2NK100Z, 1.85 A, Vds=1000 V, 3引脚 TO-252封装

制造商零件编号:
STD2NK100Z
库存编号:
760-9562
STMicroelectronics STD2NK100Z
声明:图片仅供参考,请以实物为准!

STD2NK100Z产品详细信息

N 通道 MDmesh? SuperMESH?,700V 至 1200V,STMicroelectronics

STD2NK100Z产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  6.6mm  
  尺寸  6.6 x 6.2 x 2.4mm  
  典型关断延迟时间  41.5 ns  
  典型接通延迟时间  7.2 ns  
  典型输入电容值@Vds  499 pF@ 25 V  
  典型栅极电荷@Vgs  16 nC @ 10 V  
  封装类型  TO-252  
  高度  2.4mm  
  晶体管配置  单  
  宽度  6.2mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  系列  MDmesh, SuperMESH  
  引脚数目  3  
  最大功率耗散  70 W  
  最大连续漏极电流  1.85 A  
  最大漏源电压  1000 V  
  最大漏源电阻值  8.5 Ω  
  最大栅阈值电压  4.5V  
  最大栅源电压  ±30 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
  最小栅阈值电压  3V  
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