关于我们 | 付款方式 | 联系我们

库存查询

安装类型	表面贴装
长度	3.95mm
尺寸	3.95 x 3.95 x 0.49mm
典型关断延迟时间	10 ns
典型接通延迟时间	9.1 ns
典型输入电容值@Vds	1010 pF @ 15 V
典型栅极电荷@Vgs	6.6 nC @ 4.5 V
封装类型	DirectFET S1
高度	0.49mm
晶体管配置	单
宽度	3.95mm
类别	功率 MOSFET
每片芯片元件数目	1
通道类型	N
通道模式	增强
引脚数目	4
最大功率耗散	20 W
最大连续漏极电流	36 A
最大漏源电压	30 V
最大漏源电阻值	14.3 mΩ
最大栅阈值电压	2.35V
最大栅源电压	±20 V
最低工作温度	-55 °C
最高工作温度	+175 °C
最小栅阈值电压	1.35V
关键词

安装类型 表面贴装  Infineon 安装类型 表面贴装  MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装  Infineon MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装   长度 3.95mm  Infineon 长度 3.95mm  MOSFET 晶体管 长度 3.95mm  Infineon MOSFET 晶体管 长度 3.95mm   尺寸 3.95 x 3.95 x 0.49mm  Infineon 尺寸 3.95 x 3.95 x 0.49mm  MOSFET 晶体管 尺寸 3.95 x 3.95 x 0.49mm  Infineon MOSFET 晶体管 尺寸 3.95 x 3.95 x 0.49mm   典型关断延迟时间 10 ns  Infineon 典型关断延迟时间 10 ns  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 10 ns  Infineon MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 10 ns   典型接通延迟时间 9.1 ns  Infineon 典型接通延迟时间 9.1 ns  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 9.1 ns  Infineon MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 9.1 ns   典型输入电容值@Vds 1010 pF @ 15 V  Infineon 典型输入电容值@Vds 1010 pF @ 15 V  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 1010 pF @ 15 V  Infineon MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 1010 pF @ 15 V   典型栅极电荷@Vgs 6.6 nC @ 4.5 V  Infineon 典型栅极电荷@Vgs 6.6 nC @ 4.5 V  MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 6.6 nC @ 4.5 V  Infineon MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 6.6 nC @ 4.5 V   封装类型 DirectFET S1  Infineon 封装类型 DirectFET S1  MOSFET 晶体管 封装类型 DirectFET S1  Infineon MOSFET 晶体管 封装类型 DirectFET S1   高度 0.49mm  Infineon 高度 0.49mm  MOSFET 晶体管 高度 0.49mm  Infineon MOSFET 晶体管 高度 0.49mm   晶体管配置 单  Infineon 晶体管配置 单  MOSFET 晶体管 晶体管配置 单  Infineon MOSFET 晶体管 晶体管配置 单   宽度 3.95mm  Infineon 宽度 3.95mm  MOSFET 晶体管 宽度 3.95mm  Infineon MOSFET 晶体管 宽度 3.95mm   类别 功率 MOSFET  Infineon 类别 功率 MOSFET  MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET  Infineon MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET   每片芯片元件数目 1  Infineon 每片芯片元件数目 1  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1  Infineon MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1   通道类型 N  Infineon 通道类型 N  MOSFET 晶体管 通道类型 N  Infineon MOSFET 晶体管 通道类型 N   通道模式 增强  Infineon 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  Infineon MOSFET 晶体管 通道模式 增强   引脚数目 4  Infineon 引脚数目 4  MOSFET 晶体管 引脚数目 4  Infineon MOSFET 晶体管 引脚数目 4   最大功率耗散 20 W  Infineon 最大功率耗散 20 W  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 20 W  Infineon MOSFET 晶体管 最大功率耗散 20 W   最大连续漏极电流 36 A  Infineon 最大连续漏极电流 36 A  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 36 A  Infineon MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 36 A   最大漏源电压 30 V  Infineon 最大漏源电压 30 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 30 V  Infineon MOSFET 晶体管 最大漏源电压 30 V   最大漏源电阻值 14.3 mΩ  Infineon 最大漏源电阻值 14.3 mΩ  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 14.3 mΩ  Infineon MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 14.3 mΩ   最大栅阈值电压 2.35V  Infineon 最大栅阈值电压 2.35V  MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 2.35V  Infineon MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 2.35V   最大栅源电压 ±20 V  Infineon 最大栅源电压 ±20 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V  Infineon MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V   最低工作温度 -55 °C  Infineon 最低工作温度 -55 °C  MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C  Infineon MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C   最高工作温度 +175 °C  Infineon 最高工作温度 +175 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +175 °C  Infineon MOSFET 晶体管 最高工作温度 +175 °C   最小栅阈值电压 1.35V  Infineon 最小栅阈值电压 1.35V  MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 1.35V  Infineon MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 1.35V  

• IRF6708S2TRPbF, IRF6708S2TR1PbF, DirectFET Power MOSFET