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安装类型	表面贴装
长度	4.6mm
尺寸	4.6 x 2.5 x 1.6mm
典型功率增益	14.9 dB
封装类型	PW Mini
高度	1.6mm
晶体管材料	Si
晶体管配置	单
宽度	2.5mm
类别	射频 MOSFET
每片芯片元件数目	1
通道类型	N
通道模式	增强
系列	2SK
引脚数目	3
最大功率耗散	3 W
最大连续漏极电流	1 A
最大漏源电压	30 V
最大栅阈值电压	2.4V
最大栅源电压	25 V
最高工作温度	+150 °C
关键词

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