2SK1829(TE85L,F),760-3114,Toshiba 2SK 系列 N沟道 Si MOSFET 2SK1829(TE85L,F), 50 mA, Vds=20 V, 3引脚 USM封装 ,Toshiba
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Toshiba 2SK 系列 N沟道 Si MOSFET 2SK1829(TE85L,F), 50 mA, Vds=20 V, 3引脚 USM封装

制造商零件编号:
2SK1829(TE85L,F)
制造商:
Toshiba Toshiba
库存编号:
760-3114
Toshiba 2SK1829(TE85L,F)
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2SK1829(TE85L,F)产品详细信息

MOSFET N 通道,2SK 系列,Toshiba

2SK1829(TE85L,F)产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  2mm  
  尺寸  2 x 1.25 x 0.9mm  
  典型关断延迟时间  140 ns  
  典型接通延迟时间  1400 ns  
  典型输入电容值@Vds  5.5 pF@ 3 V  
  封装类型  USM  
  高度  0.9mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  1.25mm  
  类别  小信号  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  系列  2SK  
  引脚数目  3  
  最大功率耗散  100 mW  
  最大连续漏极电流  50 mA  
  最大漏源电压  20 V  
  最大漏源电阻值  40 Ω  
  最大栅阈值电压  1.5V  
  最大栅源电压  10 V  
  最高工作温度  +150 °C  
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2SK1829(TE85L,F)产品技术参数资料

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