FDP090N10,759-9670,Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDP090N10, 75 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220封装 ,Fairchild Semiconductor
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDP090N10, 75 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220封装

制造商零件编号：
FDP090N10
库存编号：
759-9670
Fairchild Semiconductor FDP090N10
声明：图片仅供参考，请以实物为准！

FDP090N10产品详细信息

PowerTrench? N 通道 MOSFET，超过 60A，Fairchild Semiconductor

FDP090N10产品技术参数

  安装类型  通孔  
  长度  10.67mm  
  尺寸  10.67 x 4.83 x 16.51mm  
  典型关断延迟时间  166 ns  
  典型接通延迟时间  107 ns  
  典型输入电容值@Vds  6185 pF@ 25 V  
  典型栅极电荷@Vgs  89 nC @ 10 V  
  封装类型  TO-220  
  高度  16.51mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  4.83mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  系列  PowerTrench  
  引脚数目  3  
  最大功率耗散  208 W  
  最大连续漏极电流  75 A  
  最大漏源电压  100 V  
  最大漏源电阻值  9 mΩ  
  最大栅源电压  ±20 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +175 °C  
  最小栅阈值电压  2.5V  
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电话:400-900-3095
QQ:800152669

FDP090N10产品技术参数资料

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