FDMC8200S,759-9548,Fairchild Semiconductor PowerTrench, SyncFET 系列 双 Si N沟道 MOSFET FDMC8200S, 23 A,46 A, Vds=30 V, 8引脚 Power 33封装 ,Fairchild Semiconductor
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FDMC8200S
Fairchild Semiconductor PowerTrench, SyncFET 系列 双 Si N沟道 MOSFET FDMC8200S, 23 A,46 A, Vds=30 V, 8引脚 Power 33封装
制造商零件编号:
FDMC8200S
制造商:
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
库存编号:
759-9548
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
FDMC8200S产品详细信息
PowerTrench? SyncFET? 双 MOSFET,Fairchild Semiconductor
设计用于尽量减少功率转换的损耗,同时保持极佳的切换性能
高性能通道技术,RDS(接通)极低
SyncFET? 得益于高效的肖特基主体二极管
应用:同步整流直流-直流转换器、电动机驱动器、网络负载点低侧开关
FDMC8200S产品技术参数
安装类型
表面贴装
长度
3mm
尺寸
3 x 3 x 0.75mm
典型关断延迟时间
21 ns, 35 ns
典型接通延迟时间
7.6 (Q2) ns, 11 (Q1) ns
典型输入电容值@Vds
495 pF@ 15 V, 1080 pF@ 15 V
典型栅极电荷@Vgs
15.7 nC @ 10 V,7.3 nC @ 10 V
封装类型
Power 33
高度
0.75mm
晶体管材料
Si
晶体管配置
串行
宽度
3mm
类别
功率 MOSFET
每片芯片元件数目
2
通道类型
N
通道模式
增强
系列
PowerTrench, SyncFET
引脚数目
8
最大功率耗散
1.9 W, 2.5 W
最大连续漏极电流
23 A,46 A
最大漏源电压
30 V
最大漏源电阻值
13.5 mΩ,32 mΩ
最大栅源电压
±20 V
最低工作温度
-55 °C
最高工作温度
+150 °C
最小栅阈值电压
1V
关键词
FDMC8200S相关搜索
安装类型 表面贴装
Fairchild Semiconductor 安装类型 表面贴装
MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装
Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装
长度 3mm
Fairchild Semiconductor 长度 3mm
MOSFET 晶体管 长度 3mm
Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 长度 3mm
尺寸 3 x 3 x 0.75mm
Fairchild Semiconductor 尺寸 3 x 3 x 0.75mm
MOSFET 晶体管 尺寸 3 x 3 x 0.75mm
Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 尺寸 3 x 3 x 0.75mm
典型关断延迟时间 21 ns, 35 ns
Fairchild Semiconductor 典型关断延迟时间 21 ns, 35 ns
MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 21 ns, 35 ns
Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 21 ns, 35 ns
典型接通延迟时间 7.6 (Q2) ns, 11 (Q1) ns
Fairchild Semiconductor 典型接通延迟时间 7.6 (Q2) ns, 11 (Q1) ns
MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 7.6 (Q2) ns, 11 (Q1) ns
Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 7.6 (Q2) ns, 11 (Q1) ns
典型输入电容值@Vds 495 pF@ 15 V, 1080 pF@ 15 V
Fairchild Semiconductor 典型输入电容值@Vds 495 pF@ 15 V, 1080 pF@ 15 V
MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 495 pF@ 15 V, 1080 pF@ 15 V
Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 495 pF@ 15 V, 1080 pF@ 15 V
典型栅极电荷@Vgs 15.7 nC @ 10 V,7.3 nC @ 10 V
Fairchild Semiconductor 典型栅极电荷@Vgs 15.7 nC @ 10 V,7.3 nC @ 10 V
MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 15.7 nC @ 10 V,7.3 nC @ 10 V
Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 15.7 nC @ 10 V,7.3 nC @ 10 V
封装类型 Power 33
Fairchild Semiconductor 封装类型 Power 33
MOSFET 晶体管 封装类型 Power 33
Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 封装类型 Power 33
高度 0.75mm
Fairchild Semiconductor 高度 0.75mm
MOSFET 晶体管 高度 0.75mm
Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 高度 0.75mm
晶体管材料 Si
Fairchild Semiconductor 晶体管材料 Si
MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si
Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si
晶体管配置 串行
Fairchild Semiconductor 晶体管配置 串行
MOSFET 晶体管 晶体管配置 串行
Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 晶体管配置 串行
宽度 3mm
Fairchild Semiconductor 宽度 3mm
MOSFET 晶体管 宽度 3mm
Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 宽度 3mm
类别 功率 MOSFET
Fairchild Semiconductor 类别 功率 MOSFET
MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET
Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET
每片芯片元件数目 2
Fairchild Semiconductor 每片芯片元件数目 2
MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 2
Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 2
通道类型 N
Fairchild Semiconductor 通道类型 N
MOSFET 晶体管 通道类型 N
Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 通道类型 N
通道模式 增强
Fairchild Semiconductor 通道模式 增强
MOSFET 晶体管 通道模式 增强
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系列 PowerTrench, SyncFET
Fairchild Semiconductor 系列 PowerTrench, SyncFET
MOSFET 晶体管 系列 PowerTrench, SyncFET
Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 系列 PowerTrench, SyncFET
引脚数目 8
Fairchild Semiconductor 引脚数目 8
MOSFET 晶体管 引脚数目 8
Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 引脚数目 8
最大功率耗散 1.9 W, 2.5 W
Fairchild Semiconductor 最大功率耗散 1.9 W, 2.5 W
MOSFET 晶体管 最大功率耗散 1.9 W, 2.5 W
Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最大功率耗散 1.9 W, 2.5 W
最大连续漏极电流 23 A,46 A
Fairchild Semiconductor 最大连续漏极电流 23 A,46 A
MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 23 A,46 A
Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 23 A,46 A
最大漏源电压 30 V
Fairchild Semiconductor 最大漏源电压 30 V
MOSFET 晶体管 最大漏源电压 30 V
Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最大漏源电压 30 V
最大漏源电阻值 13.5 mΩ,32 mΩ
Fairchild Semiconductor 最大漏源电阻值 13.5 mΩ,32 mΩ
MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 13.5 mΩ,32 mΩ
Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 13.5 mΩ,32 mΩ
最大栅源电压 ±20 V
Fairchild Semiconductor 最大栅源电压 ±20 V
MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V
Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V
最低工作温度 -55 °C
Fairchild Semiconductor 最低工作温度 -55 °C
MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C
Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C
最高工作温度 +150 °C
Fairchild Semiconductor 最高工作温度 +150 °C
MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C
Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C
最小栅阈值电压 1V
Fairchild Semiconductor 最小栅阈值电压 1V
MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 1V
Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 1V
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FDMC8200S产品技术参数资料
FDMC8200S, PowerTrench Dual 30V N-Channel MOSFET
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