FDMC8200S,759-9548,Fairchild Semiconductor PowerTrench, SyncFET 系列 双 Si N沟道 MOSFET FDMC8200S, 23 A,46 A, Vds=30 V, 8引脚 Power 33封装 ,Fairchild Semiconductor
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Fairchild Semiconductor PowerTrench, SyncFET 系列 双 Si N沟道 MOSFET FDMC8200S, 23 A,46 A, Vds=30 V, 8引脚 Power 33封装

制造商零件编号:
FDMC8200S
库存编号:
759-9548
Fairchild Semiconductor FDMC8200S
声明:图片仅供参考,请以实物为准!

FDMC8200S产品详细信息

PowerTrench? SyncFET? 双 MOSFET,Fairchild Semiconductor

设计用于尽量减少功率转换的损耗,同时保持极佳的切换性能
高性能通道技术,RDS(接通)极低
SyncFET? 得益于高效的肖特基主体二极管
应用:同步整流直流-直流转换器、电动机驱动器、网络负载点低侧开关

FDMC8200S产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  3mm  
  尺寸  3 x 3 x 0.75mm  
  典型关断延迟时间  21 ns, 35 ns  
  典型接通延迟时间  7.6 (Q2) ns, 11 (Q1) ns  
  典型输入电容值@Vds  495 pF@ 15 V, 1080 pF@ 15 V  
  典型栅极电荷@Vgs  15.7 nC @ 10 V,7.3 nC @ 10 V  
  封装类型  Power 33  
  高度  0.75mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  串行  
  宽度  3mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  2  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  系列  PowerTrench, SyncFET  
  引脚数目  8  
  最大功率耗散  1.9 W, 2.5 W  
  最大连续漏极电流  23 A,46 A  
  最大漏源电压  30 V  
  最大漏源电阻值  13.5 mΩ,32 mΩ  
  最大栅源电压  ±20 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
  最小栅阈值电压  1V  
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FDMC8200S产品技术参数资料

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