3SK294(TE85L,F),756-0382,Toshiba Si N沟道 MOSFET 3SK294(TE85L,F), 30 mA, Vds=12.5 V, 4引脚 USQ封装 ,Toshiba
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Toshiba Si N沟道 MOSFET 3SK294(TE85L,F), 30 mA, Vds=12.5 V, 4引脚 USQ封装

制造商零件编号:
3SK294(TE85L,F)
制造商:
Toshiba Toshiba
库存编号:
756-0382
Toshiba 3SK294(TE85L,F)
声明:图片仅供参考,请以实物为准!

3SK294(TE85L,F)产品详细信息

RF MOSFET 晶体管,Toshiba

3SK294(TE85L,F)产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  1.25mm  
  尺寸  1.25 x 2 x 0.95mm  
  典型功率增益  26 dB  
  典型输入电容值@Vds  2.5 pF @ 6 V  
  封装类型  USQ  
  高度  0.95mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  2mm  
  类别  射频 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  消耗  
  引脚数目  4  
  最大功率耗散  100 mW  
  最大连续漏极电流  30 mA  
  最大漏源电压  12.5 V  
  最大栅阈值电压  1.5V  
  最大栅源电压  ±8 V  
  最高工作温度  +125 °C  
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