SPB80P06P G,753-3166,Infineon SIPMOS 系列 Si P沟道 MOSFET SPB80P06P G, 80 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-263封装 ,Infineon
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Infineon SIPMOS 系列 Si P沟道 MOSFET SPB80P06P G, 80 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-263封装

制造商零件编号：
SPB80P06P G
库存编号：
753-3166
Infineon SPB80P06P G
声明：图片仅供参考，请以实物为准！

SPB80P06P G产品详细信息

Infineon SIPMOS? P 通道 MOSFET

Infineon SIPMOS? 小信号 P 通道 MOSFET 具有多种功能，可能包括增强模式、连续漏极电流（约低至 80A）及宽工作温度范围。 SIPMOS 功率晶体管可用于多种应用，包括电信、eMobility、笔记本、直流/直流设备以及汽车工业。

· 符合 AEC Q101 标准（请参阅数据表）
· 无铅引线电镀，符合 RoHS 标准

SPB80P06P G产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  10.31mm  
  尺寸  10.31 x 9.45 x 4.57mm  
  典型关断延迟时间  56 ns  
  典型接通延迟时间  24 ns  
  典型输入电容值@Vds  4026 pF @ -25 V  
  典型栅极电荷@Vgs  115 nC @ 10 V  
  封装类型  TO-263  
  高度  4.57mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  9.45mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  P  
  通道模式  增强  
  系列  SIPMOS  
  引脚数目  3  
  最大功率耗散  340 W  
  最大连续漏极电流  80 A  
  最大漏源电压  60 V  
  最大漏源电阻值  0.023 Ω  
  最大栅阈值电压  4V  
  最大栅源电压  ±20 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +175 °C  
  最小栅阈值电压  2.1V  
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电话:400-900-3095
QQ:800152669

SPB80P06P G产品技术参数资料

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