BSO615N G,753-2797,Infineon SIPMOS 系列 双 Si N沟道 MOSFET BSO615N G, 2.6 A, Vds=60 V, 8引脚 SOIC封装 ,Infineon
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Infineon SIPMOS 系列 双 Si N沟道 MOSFET BSO615N G, 2.6 A, Vds=60 V, 8引脚 SOIC封装

制造商零件编号:
BSO615N G
库存编号:
753-2797
Infineon BSO615N G
声明:图片仅供参考,请以实物为准!

BSO615N G产品详细信息

Infineon SIPMOS? 双 N 通道 MOSFET

BSO615N G产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  典型关断延迟时间  20 ns  
  典型接通延迟时间  12 ns  
  典型输入电容值@Vds  300 pF @ 25 V  
  典型栅极电荷@Vgs  14 nC @ 10 V  
  封装类型  SOIC  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  隔离式  
  类别  小信号  
  每片芯片元件数目  2  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  系列  SIPMOS  
  引脚数目  8  
  最大功率耗散  2 W  
  最大连续漏极电流  2.6 A  
  最大漏源电压  60 V  
  最大漏源电阻值  150 mΩ  
  最大栅阈值电压  2V  
  最大栅源电压  ±20 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
  最小栅阈值电压  1.2V  
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电话:400-900-3095
QQ:800152669

BSO615N G产品技术参数资料

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