IPB072N15N3 G,752-8340,Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPB072N15N3 G, 100 A, Vds=150 V, 3引脚 TO-263封装 ,Infineon
ROHM代理商
专业代理销售ROHM（罗姆）全系列产品
美国1号分类选型新加坡2号分类选型英国10号分类选型英国2号分类选型日本5号分类选型

在本站结果里搜索：    
热门搜索词：万用表  电容  molex  连接器  NSX系列  63V 5mm  TDC180-5A  H8670VBAAA  804-8394  TDC180-5A

Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPB072N15N3 G, 100 A, Vds=150 V, 3引脚 TO-263封装

制造商零件编号：
IPB072N15N3 G
库存编号：
752-8340
Infineon IPB072N15N3 G
声明：图片仅供参考，请以实物为准！

IPB072N15N3 G产品详细信息

Infineon OptiMOS?3 功率 MOSFET，100V 及以上

IPB072N15N3 G产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  10.31mm  
  尺寸  10.31 x 9.45 x 4.57mm  
  典型关断延迟时间  46 ns  
  典型接通延迟时间  25 ns  
  典型输入电容值@Vds  5470 pF @ 75 V  
  典型栅极电荷@Vgs  70 nC @ 10 V  
  封装类型  TO-263  
  高度  4.57mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  9.45mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  系列  OptiMOS 3  
  引脚数目  3  
  最大功率耗散  300 W  
  最大连续漏极电流  100 A  
  最大漏源电压  150 V  
  最大漏源电阻值  0.0077 Ω  
  最大栅阈值电压  4V  
  最大栅源电压  ±20 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +175 °C  
  最小栅阈值电压  2V  
关键词         

IPB072N15N3 G配套附件

  • 产品描述 / 参考图片
  • 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
  • 操作

IPB072N15N3 G关联产品

  • 产品描述 / 参考图片
  • 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
  • 操作

IPB072N15N3 G相关搜索

安装类型 表面贴装  Infineon 安装类型 表面贴装  MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装  Infineon MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装   长度 10.31mm  Infineon 长度 10.31mm  MOSFET 晶体管 长度 10.31mm  Infineon MOSFET 晶体管 长度 10.31mm   尺寸 10.31 x 9.45 x 4.57mm  Infineon 尺寸 10.31 x 9.45 x 4.57mm  MOSFET 晶体管 尺寸 10.31 x 9.45 x 4.57mm  Infineon MOSFET 晶体管 尺寸 10.31 x 9.45 x 4.57mm   典型关断延迟时间 46 ns  Infineon 典型关断延迟时间 46 ns  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 46 ns  Infineon MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 46 ns   典型接通延迟时间 25 ns  Infineon 典型接通延迟时间 25 ns  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 25 ns  Infineon MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 25 ns   典型输入电容值@Vds 5470 pF @ 75 V  Infineon 典型输入电容值@Vds 5470 pF @ 75 V  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 5470 pF @ 75 V  Infineon MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 5470 pF @ 75 V   典型栅极电荷@Vgs 70 nC @ 10 V  Infineon 典型栅极电荷@Vgs 70 nC @ 10 V  MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 70 nC @ 10 V  Infineon MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 70 nC @ 10 V   封装类型 TO-263  Infineon 封装类型 TO-263  MOSFET 晶体管 封装类型 TO-263  Infineon MOSFET 晶体管 封装类型 TO-263   高度 4.57mm  Infineon 高度 4.57mm  MOSFET 晶体管 高度 4.57mm  Infineon MOSFET 晶体管 高度 4.57mm   晶体管材料 Si  Infineon 晶体管材料 Si  MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si  Infineon MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si   晶体管配置 单  Infineon 晶体管配置 单  MOSFET 晶体管 晶体管配置 单  Infineon MOSFET 晶体管 晶体管配置 单   宽度 9.45mm  Infineon 宽度 9.45mm  MOSFET 晶体管 宽度 9.45mm  Infineon MOSFET 晶体管 宽度 9.45mm   类别 功率 MOSFET  Infineon 类别 功率 MOSFET  MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET  Infineon MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET   每片芯片元件数目 1  Infineon 每片芯片元件数目 1  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1  Infineon MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1   通道类型 N  Infineon 通道类型 N  MOSFET 晶体管 通道类型 N  Infineon MOSFET 晶体管 通道类型 N   通道模式 增强  Infineon 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  Infineon MOSFET 晶体管 通道模式 增强   系列 OptiMOS 3  Infineon 系列 OptiMOS 3  MOSFET 晶体管 系列 OptiMOS 3  Infineon MOSFET 晶体管 系列 OptiMOS 3   引脚数目 3  Infineon 引脚数目 3  MOSFET 晶体管 引脚数目 3  Infineon MOSFET 晶体管 引脚数目 3   最大功率耗散 300 W  Infineon 最大功率耗散 300 W  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 300 W  Infineon MOSFET 晶体管 最大功率耗散 300 W   最大连续漏极电流 100 A  Infineon 最大连续漏极电流 100 A  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 100 A  Infineon MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 100 A   最大漏源电压 150 V  Infineon 最大漏源电压 150 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 150 V  Infineon MOSFET 晶体管 最大漏源电压 150 V   最大漏源电阻值 0.0077 Ω  Infineon 最大漏源电阻值 0.0077 Ω  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 0.0077 Ω  Infineon MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 0.0077 Ω   最大栅阈值电压 4V  Infineon 最大栅阈值电压 4V  MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 4V  Infineon MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 4V   最大栅源电压 ±20 V  Infineon 最大栅源电压 ±20 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V  Infineon MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V   最低工作温度 -55 °C  Infineon 最低工作温度 -55 °C  MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C  Infineon MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C   最高工作温度 +175 °C  Infineon 最高工作温度 +175 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +175 °C  Infineon MOSFET 晶体管 最高工作温度 +175 °C   最小栅阈值电压 2V  Infineon 最小栅阈值电压 2V  MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 2V  Infineon MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 2V  
电话:400-900-3095
QQ:800152669

IPB072N15N3 G产品技术参数资料

ROHM半导体简介  |  ROHM产品  |  ROHM动态  |  产品应用  |  按产品系列选型  |  按产品规格选型  |  ROHM选型手册
Copyright © 2017 http://www.rohm-chip.com All Rights Reserved. 技术支持：电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号