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安装类型	表面贴装
长度	2.9mm
尺寸	2.9 x 2.4 x 0.83mm
典型关断延迟时间	4400 ns
典型接通延迟时间	0.6 ns
封装类型	WMini8-F1
高度	0.83mm
晶体管材料	Si
晶体管配置	共漏极
宽度	2.4mm
类别	功率 MOSFET
每片芯片元件数目	2
通道类型	N
通道模式	增强
系列	FC
引脚数目	8
最大功率耗散	1.2 W
最大连续漏极电流	8 A
最大漏源电压	24 V
最大漏源电阻值	20 MΩ
最大栅阈值电压	1.5V
最大栅源电压	±12 V
最低工作温度	-55 °C
最高工作温度	+150 °C
关键词

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• FC8V2204, Composite MOS FETs (For Power Management)