NTD4815N-35G,747-0904,ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NTD4815N-35G, 35 A, Vds=30 V, 3引脚 IPAK封装 ,ON Semiconductor
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ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NTD4815N-35G, 35 A, Vds=30 V, 3引脚 IPAK封装

制造商零件编号:
NTD4815N-35G
库存编号:
747-0904
ON Semiconductor NTD4815N-35G
声明:图片仅供参考,请以实物为准!

NTD4815N-35G产品详细信息

N 通道功率 MOSFET,30V,ON Semiconductor

NTD4815N-35G产品技术参数

  安装类型  通孔  
  长度  6.73mm  
  尺寸  6.73 x 7.49 x 2.38mm  
  典型关断延迟时间  11.4 ns  
  典型接通延迟时间  10.5 ns  
  典型输入电容值@Vds  770 pF@ 12 V  
  典型栅极电荷@Vgs  14.1 nC @ 11.5 V  
  封装类型  IPAK  
  高度  2.38mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  7.49mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  引脚数目  3  
  最大功率耗散  32.6 W  
  最大连续漏极电流  35 A  
  最大漏源电压  30 V  
  最大漏源电阻值  25 mΩ  
  最大栅阈值电压  2.5V  
  最大栅源电压  ±20 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +175 °C  
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NTD4815N-35G产品技术参数资料

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