ZXMS6006SGTA,738-5229,DiodesZetex IntelliFET 系列 N沟道 Si MOSFET ZXMS6006SGTA, 2.8 A, Vds=60 V, 3针+焊片 SOT-223封装 ,DiodesZetex
ROHM代理商
专业代理销售ROHM(罗姆)全系列产品
美国1号分类选型新加坡2号分类选型英国10号分类选型英国2号分类选型日本5号分类选型

在本站结果里搜索:    
热门搜索词:万用表  电容  molex  连接器  NSX系列  63V 5mm  TDC180-5A  H8670VBAAA  804-8394  TDC180-5A

DiodesZetex IntelliFET 系列 N沟道 Si MOSFET ZXMS6006SGTA, 2.8 A, Vds=60 V, 3针+焊片 SOT-223封装

制造商零件编号:
ZXMS6006SGTA
库存编号:
738-5229
DiodesZetex ZXMS6006SGTA
声明:图片仅供参考,请以实物为准!

ZXMS6006SGTA产品详细信息

IntelliFET 自保护 MOSFET,Diodes Inc

IntelliFET 是自保护型 MOSFET,集成了完整保护电路,可防止 ESD(静电敏感设备)、过电流、过电压和过温条件。

短路保护,具有自动重启
过压保护(有源箝位)
过电流保护
输入保护 (ESD)
高连续电流额定值
负载突卸保护
逻辑电平输入

ZXMS6006SGTA产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  6.55mm  
  尺寸  6.55 x 3.55 x 1.65mm  
  典型关断延迟时间  34 μs  
  典型接通延迟时间  8.6 μs  
  封装类型  SOT-223  
  高度  1.65mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  3.55mm  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  系列  IntelliFET  
  引脚数目  3+Tab  
  最大功率耗散  1.6 W  
  最大连续漏极电流  2.8 A  
  最大漏源电压  60 V  
  最大漏源电阻值  125 mΩ  
  最大栅阈值电压  1.5V  
  最低工作温度  -40 °C  
  最高工作温度  +125 °C  
关键词         

ZXMS6006SGTA相关搜索

安装类型 表面贴装  DiodesZetex 安装类型 表面贴装  MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装  DiodesZetex MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装   长度 6.55mm  DiodesZetex 长度 6.55mm  MOSFET 晶体管 长度 6.55mm  DiodesZetex MOSFET 晶体管 长度 6.55mm   尺寸 6.55 x 3.55 x 1.65mm  DiodesZetex 尺寸 6.55 x 3.55 x 1.65mm  MOSFET 晶体管 尺寸 6.55 x 3.55 x 1.65mm  DiodesZetex MOSFET 晶体管 尺寸 6.55 x 3.55 x 1.65mm   典型关断延迟时间 34 μs  DiodesZetex 典型关断延迟时间 34 μs  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 34 μs  DiodesZetex MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 34 μs   典型接通延迟时间 8.6 μs  DiodesZetex 典型接通延迟时间 8.6 μs  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 8.6 μs  DiodesZetex MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 8.6 μs   封装类型 SOT-223  DiodesZetex 封装类型 SOT-223  MOSFET 晶体管 封装类型 SOT-223  DiodesZetex MOSFET 晶体管 封装类型 SOT-223   高度 1.65mm  DiodesZetex 高度 1.65mm  MOSFET 晶体管 高度 1.65mm  DiodesZetex MOSFET 晶体管 高度 1.65mm   晶体管材料 Si  DiodesZetex 晶体管材料 Si  MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si  DiodesZetex MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si   晶体管配置 单  DiodesZetex 晶体管配置 单  MOSFET 晶体管 晶体管配置 单  DiodesZetex MOSFET 晶体管 晶体管配置 单   宽度 3.55mm  DiodesZetex 宽度 3.55mm  MOSFET 晶体管 宽度 3.55mm  DiodesZetex MOSFET 晶体管 宽度 3.55mm   每片芯片元件数目 1  DiodesZetex 每片芯片元件数目 1  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1  DiodesZetex MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1   通道类型 N  DiodesZetex 通道类型 N  MOSFET 晶体管 通道类型 N  DiodesZetex MOSFET 晶体管 通道类型 N   通道模式 增强  DiodesZetex 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  DiodesZetex MOSFET 晶体管 通道模式 增强   系列 IntelliFET  DiodesZetex 系列 IntelliFET  MOSFET 晶体管 系列 IntelliFET  DiodesZetex MOSFET 晶体管 系列 IntelliFET   引脚数目 3+Tab  DiodesZetex 引脚数目 3+Tab  MOSFET 晶体管 引脚数目 3+Tab  DiodesZetex MOSFET 晶体管 引脚数目 3+Tab   最大功率耗散 1.6 W  DiodesZetex 最大功率耗散 1.6 W  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 1.6 W  DiodesZetex MOSFET 晶体管 最大功率耗散 1.6 W   最大连续漏极电流 2.8 A  DiodesZetex 最大连续漏极电流 2.8 A  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 2.8 A  DiodesZetex MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 2.8 A   最大漏源电压 60 V  DiodesZetex 最大漏源电压 60 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 60 V  DiodesZetex MOSFET 晶体管 最大漏源电压 60 V   最大漏源电阻值 125 mΩ  DiodesZetex 最大漏源电阻值 125 mΩ  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 125 mΩ  DiodesZetex MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 125 mΩ   最大栅阈值电压 1.5V  DiodesZetex 最大栅阈值电压 1.5V  MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 1.5V  DiodesZetex MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 1.5V   最低工作温度 -40 °C  DiodesZetex 最低工作温度 -40 °C  MOSFET 晶体管 最低工作温度 -40 °C  DiodesZetex MOSFET 晶体管 最低工作温度 -40 °C   最高工作温度 +125 °C  DiodesZetex 最高工作温度 +125 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +125 °C  DiodesZetex MOSFET 晶体管 最高工作温度 +125 °C  
电话:400-900-3095
QQ:800152669

ZXMS6006SGTA产品技术参数资料

ROHM半导体简介  |  ROHM产品  |  ROHM动态  |  产品应用  |  按产品系列选型  |  按产品规格选型  |  ROHM选型手册
Copyright © 2017 http://www.rohm-chip.com All Rights Reserved. 技术支持:电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号