FJ6K01010L,728-6844,Panasonic FJ 系列 P沟道 Si MOSFET FJ6K01010L, 4 A, Vds=12 V, 6引脚 WSMini6-F1-B封装 ,Panasonic
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FJ6K01010L
Panasonic FJ 系列 P沟道 Si MOSFET FJ6K01010L, 4 A, Vds=12 V, 6引脚 WSMini6-F1-B封装
制造商零件编号:
FJ6K01010L
制造商:
Panasonic
Panasonic
库存编号:
728-6844
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
FJ6K01010L产品详细信息
P 通道 MOSFET,Panasonic
FJ6K01010L产品技术参数
安装类型
表面贴装
长度
2mm
尺寸
2 x 1.7 x 0.6mm
典型关断延迟时间
250 ns
典型接通延迟时间
9 ns
典型输入电容值@Vds
1400 pF @ -10 V
封装类型
WSMini6-F1-B
高度
0.6mm
晶体管材料
Si
晶体管配置
单
宽度
1.7mm
每片芯片元件数目
1
通道类型
P
通道模式
增强
系列
FJ
引脚数目
6
最大功率耗散
700 mW
最大连续漏极电流
4 A
最大漏源电压
12 V
最大漏源电阻值
54 mΩ
最大栅阈值电压
1V
最大栅源电压
±8 V
最高工作温度
+150 °C
关键词
FJ6K01010L相关搜索
安装类型 表面贴装
Panasonic 安装类型 表面贴装
MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装
Panasonic MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装
长度 2mm
Panasonic 长度 2mm
MOSFET 晶体管 长度 2mm
Panasonic MOSFET 晶体管 长度 2mm
尺寸 2 x 1.7 x 0.6mm
Panasonic 尺寸 2 x 1.7 x 0.6mm
MOSFET 晶体管 尺寸 2 x 1.7 x 0.6mm
Panasonic MOSFET 晶体管 尺寸 2 x 1.7 x 0.6mm
典型关断延迟时间 250 ns
Panasonic 典型关断延迟时间 250 ns
MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 250 ns
Panasonic MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 250 ns
典型接通延迟时间 9 ns
Panasonic 典型接通延迟时间 9 ns
MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 9 ns
Panasonic MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 9 ns
典型输入电容值@Vds 1400 pF @ -10 V
Panasonic 典型输入电容值@Vds 1400 pF @ -10 V
MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 1400 pF @ -10 V
Panasonic MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 1400 pF @ -10 V
封装类型 WSMini6-F1-B
Panasonic 封装类型 WSMini6-F1-B
MOSFET 晶体管 封装类型 WSMini6-F1-B
Panasonic MOSFET 晶体管 封装类型 WSMini6-F1-B
高度 0.6mm
Panasonic 高度 0.6mm
MOSFET 晶体管 高度 0.6mm
Panasonic MOSFET 晶体管 高度 0.6mm
晶体管材料 Si
Panasonic 晶体管材料 Si
MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si
Panasonic MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si
晶体管配置 单
Panasonic 晶体管配置 单
MOSFET 晶体管 晶体管配置 单
Panasonic MOSFET 晶体管 晶体管配置 单
宽度 1.7mm
Panasonic 宽度 1.7mm
MOSFET 晶体管 宽度 1.7mm
Panasonic MOSFET 晶体管 宽度 1.7mm
每片芯片元件数目 1
Panasonic 每片芯片元件数目 1
MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1
Panasonic MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1
通道类型 P
Panasonic 通道类型 P
MOSFET 晶体管 通道类型 P
Panasonic MOSFET 晶体管 通道类型 P
通道模式 增强
Panasonic 通道模式 增强
MOSFET 晶体管 通道模式 增强
Panasonic MOSFET 晶体管 通道模式 增强
系列 FJ
Panasonic 系列 FJ
MOSFET 晶体管 系列 FJ
Panasonic MOSFET 晶体管 系列 FJ
引脚数目 6
Panasonic 引脚数目 6
MOSFET 晶体管 引脚数目 6
Panasonic MOSFET 晶体管 引脚数目 6
最大功率耗散 700 mW
Panasonic 最大功率耗散 700 mW
MOSFET 晶体管 最大功率耗散 700 mW
Panasonic MOSFET 晶体管 最大功率耗散 700 mW
最大连续漏极电流 4 A
Panasonic 最大连续漏极电流 4 A
MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 4 A
Panasonic MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 4 A
最大漏源电压 12 V
Panasonic 最大漏源电压 12 V
MOSFET 晶体管 最大漏源电压 12 V
Panasonic MOSFET 晶体管 最大漏源电压 12 V
最大漏源电阻值 54 mΩ
Panasonic 最大漏源电阻值 54 mΩ
MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 54 mΩ
Panasonic MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 54 mΩ
最大栅阈值电压 1V
Panasonic 最大栅阈值电压 1V
MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 1V
Panasonic MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 1V
最大栅源电压 ±8 V
Panasonic 最大栅源电压 ±8 V
MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±8 V
Panasonic MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±8 V
最高工作温度 +150 °C
Panasonic 最高工作温度 +150 °C
MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C
Panasonic MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C
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FJ6K01010L产品技术参数资料
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