PMV213SN,215,725-8326,NXP N沟道 Si MOSFET PMV213SN,215, 1.9 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-236AB封装 ,Nexperia
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NXP N沟道 Si MOSFET PMV213SN,215, 1.9 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-236AB封装

制造商零件编号:
PMV213SN,215
库存编号:
725-8326
Nexperia PMV213SN,215
声明:图片仅供参考,请以实物为准!

PMV213SN,215产品详细信息

N 通道 MOSFET,1A 至 9A,Nexperia

PMV213SN,215产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  3mm  
  尺寸  3 x 1.4 x 1mm  
  典型关断延迟时间  9.5 ns  
  典型接通延迟时间  5.5 ns  
  典型输入电容值@Vds  330 pF@ 20 V  
  典型栅极电荷@Vgs  7 nC @ 10 V  
  封装类型  TO-236AB  
  高度  1mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  1.4mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  引脚数目  3  
  最大功率耗散  2 W  
  最大连续漏极电流  1.9 A  
  最大漏源电压  100 V  
  最大漏源电阻值  250 mΩ  
  最大栅阈值电压  4V  
  最大栅源电压  ±30 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
  最小栅阈值电压  2V  
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电话:400-900-3095
QQ:800152669

PMV213SN,215产品技术参数资料

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