IXFB38N100Q2,711-5336,IXYS HiperFET, Q-Class 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 IXFB38N100Q2, 38 A, Vds=1000 V, 3引脚 PLUS264封装 ,IXYS
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IXYS HiperFET, Q-Class 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 IXFB38N100Q2, 38 A, Vds=1000 V, 3引脚 PLUS264封装

制造商零件编号:
IXFB38N100Q2
制造商:
IXYS IXYS
库存编号:
711-5336
IXYS IXFB38N100Q2
声明:图片仅供参考,请以实物为准!

IXFB38N100Q2产品详细信息

N 通道功率 MOSFET,IXYS HiperFET? Q 系列

N 通道功率 MOSFET,具有快速本征二极管 (HiPerFET?)

IXFB38N100Q2产品技术参数

  安装类型  通孔  
  长度  20.29mm  
  尺寸  20.29 x 5.31 x 26.59mm  
  典型关断延迟时间  57 ns  
  典型接通延迟时间  25 ns  
  典型输入电容值@Vds  7200 pF @ 25 V  
  典型栅极电荷@Vgs  250 nC @ 10 V  
  封装类型  PLUS264  
  高度  26.59mm  
  晶体管配置  单  
  宽度  5.31mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  系列  HiperFET, Q-Class  
  引脚数目  3  
  最大功率耗散  890 W  
  最大连续漏极电流  38 A  
  最大漏源电压  1000 V  
  最大漏源电阻值  250 mΩ  
  最大栅阈值电压  5.5V  
  最大栅源电压  ±30 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
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电话:400-900-3095
QQ:800152669

IXFB38N100Q2产品技术参数资料

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