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安装类型	表面贴装
长度	3.05mm
尺寸	3.05 x 3.05 x 1.04mm
典型关断延迟时间	30 ns, 33 ns
典型接通延迟时间	10 ns, 25 ns
典型输入电容值@Vds	600 pF@ 30 V
典型栅极电荷@Vgs	14.5 nC @ 10 V
封装类型	PowerPAK 1212
高度	1.04mm
晶体管材料	Si
晶体管配置	单
宽度	3.05mm
类别	功率 MOSFET
每片芯片元件数目	1
通道类型	P
通道模式	增强
引脚数目	8
最大功率耗散	3.2 瓦
最大连续漏极电流	3.9 A
最大漏源电压	60 V
最大漏源电阻值	115 mΩ
最大栅源电压	±20 V
最低工作温度	-65 °C
最高工作温度	+150 °C
最小栅阈值电压	1V
关键词

安装类型 表面贴装  Vishay 安装类型 表面贴装  MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装  Vishay MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装   长度 3.05mm  Vishay 长度 3.05mm  MOSFET 晶体管 长度 3.05mm  Vishay MOSFET 晶体管 长度 3.05mm   尺寸 3.05 x 3.05 x 1.04mm  Vishay 尺寸 3.05 x 3.05 x 1.04mm  MOSFET 晶体管 尺寸 3.05 x 3.05 x 1.04mm  Vishay MOSFET 晶体管 尺寸 3.05 x 3.05 x 1.04mm   典型关断延迟时间 30 ns, 33 ns  Vishay 典型关断延迟时间 30 ns, 33 ns  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 30 ns, 33 ns  Vishay MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 30 ns, 33 ns   典型接通延迟时间 10 ns, 25 ns  Vishay 典型接通延迟时间 10 ns, 25 ns  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 10 ns, 25 ns  Vishay MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 10 ns, 25 ns   典型输入电容值@Vds 600 pF@ 30 V  Vishay 典型输入电容值@Vds 600 pF@ 30 V  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 600 pF@ 30 V  Vishay MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 600 pF@ 30 V   典型栅极电荷@Vgs 14.5 nC @ 10 V  Vishay 典型栅极电荷@Vgs 14.5 nC @ 10 V  MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 14.5 nC @ 10 V  Vishay MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 14.5 nC @ 10 V   封装类型 PowerPAK 1212  Vishay 封装类型 PowerPAK 1212  MOSFET 晶体管 封装类型 PowerPAK 1212  Vishay MOSFET 晶体管 封装类型 PowerPAK 1212   高度 1.04mm  Vishay 高度 1.04mm  MOSFET 晶体管 高度 1.04mm  Vishay MOSFET 晶体管 高度 1.04mm   晶体管材料 Si  Vishay 晶体管材料 Si  MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si  Vishay MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si   晶体管配置 单  Vishay 晶体管配置 单  MOSFET 晶体管 晶体管配置 单  Vishay MOSFET 晶体管 晶体管配置 单   宽度 3.05mm  Vishay 宽度 3.05mm  MOSFET 晶体管 宽度 3.05mm  Vishay MOSFET 晶体管 宽度 3.05mm   类别 功率 MOSFET  Vishay 类别 功率 MOSFET  MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET  Vishay MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET   每片芯片元件数目 1  Vishay 每片芯片元件数目 1  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1  Vishay MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1   通道类型 P  Vishay 通道类型 P  MOSFET 晶体管 通道类型 P  Vishay MOSFET 晶体管 通道类型 P   通道模式 增强  Vishay 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  Vishay MOSFET 晶体管 通道模式 增强   引脚数目 8  Vishay 引脚数目 8  MOSFET 晶体管 引脚数目 8  Vishay MOSFET 晶体管 引脚数目 8   最大功率耗散 3.2 瓦  Vishay 最大功率耗散 3.2 瓦  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 3.2 瓦  Vishay MOSFET 晶体管 最大功率耗散 3.2 瓦   最大连续漏极电流 3.9 A  Vishay 最大连续漏极电流 3.9 A  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 3.9 A  Vishay MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 3.9 A   最大漏源电压 60 V  Vishay 最大漏源电压 60 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 60 V  Vishay MOSFET 晶体管 最大漏源电压 60 V   最大漏源电阻值 115 mΩ  Vishay 最大漏源电阻值 115 mΩ  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 115 mΩ  Vishay MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 115 mΩ   最大栅源电压 ±20 V  Vishay 最大栅源电压 ±20 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V  Vishay MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V   最低工作温度 -65 °C  Vishay 最低工作温度 -65 °C  MOSFET 晶体管 最低工作温度 -65 °C  Vishay MOSFET 晶体管 最低工作温度 -65 °C   最高工作温度 +150 °C  Vishay 最高工作温度 +150 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  Vishay MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C   最小栅阈值电压 1V  Vishay 最小栅阈值电压 1V  MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 1V  Vishay MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 1V  

• Trans MOSFET P-CH 60V 3.9A