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安装类型	表面贴装
长度	5mm
尺寸	5 x 4 x 1.55mm
典型关断延迟时间	50 ns
典型接通延迟时间	10 ns
典型栅极电荷@Vgs	14.5 nC @ 10 V
封装类型	SOIC
高度	1.55mm
晶体管材料	Si
晶体管配置	隔离式
宽度	4mm
类别	功率 MOSFET
每片芯片元件数目	2
通道类型	P
通道模式	增强
引脚数目	8
最大功率耗散	1.4 W
最大连续漏极电流	2.4 A
最大漏源电压	60 V
最大漏源电阻值	120 mΩ
最大栅源电压	±20 V
最低工作温度	-55 °C
最高工作温度	+175 °C
最小栅阈值电压	1V
关键词

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• Si4948BEY Dual P-Channel 60-V (D-S) 175° MOSFET Data Sheet