IRF530PBF,708-4730,Vishay Si N沟道 MOSFET IRF530PBF, 14 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220AB封装 ,Vishay
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Vishay Si N沟道 MOSFET IRF530PBF, 14 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220AB封装

制造商零件编号:
IRF530PBF
制造商:
Vishay Vishay
库存编号:
708-4730
Vishay IRF530PBF
声明:图片仅供参考,请以实物为准!

IRF530PBF产品详细信息

N 通道 MOSFET,100V 至 150V,Vishay Semiconductor

IRF530PBF产品技术参数

  安装类型  通孔  
  长度  10.41mm  
  尺寸  10.41 x 4.7 x 9.01mm  
  典型关断延迟时间  23 ns  
  典型接通延迟时间  10 ns  
  典型输入电容值@Vds  670 pF V @ 25  
  典型栅极电荷@Vgs  26 nC V @ 10  
  封装类型  TO-220AB  
  高度  9.01mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  4.7mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  引脚数目  3  
  最大功率耗散  88000 mW  
  最大连续漏极电流  14 A  
  最大漏源电压  100 V  
  最大漏源电阻值  0.16 Ω  
  最大栅源电压  ±20 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +175 °C  
  最小栅阈值电压  2V  
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