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安装类型	表面贴装
长度	5.45mm
尺寸	5.45 x 5.05 x 0.6mm
典型关断延迟时间	31 ns
典型接通延迟时间	17 ns
典型输入电容值@Vds	2060 pF @ 25 V
典型栅极电荷@Vgs	36 nC @ 10 V
封装类型	DirectFET MN
高度	0.6mm
宽度	5.05mm
类别	功率 MOSFET
每片芯片元件数目	1
通道类型	N
通道模式	增强
引脚数目	5
最大功率耗散	2800 mW
最大连续漏极电流	12 A
最大漏源电压	80 V
最大漏源电阻值	10 mΩ
最大栅源电压	±20 V
最低工作温度	-40 °C
最高工作温度	+150 °C
关键词

安装类型 表面贴装  Infineon 安装类型 表面贴装  MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装  Infineon MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装   长度 5.45mm  Infineon 长度 5.45mm  MOSFET 晶体管 长度 5.45mm  Infineon MOSFET 晶体管 长度 5.45mm   尺寸 5.45 x 5.05 x 0.6mm  Infineon 尺寸 5.45 x 5.05 x 0.6mm  MOSFET 晶体管 尺寸 5.45 x 5.05 x 0.6mm  Infineon MOSFET 晶体管 尺寸 5.45 x 5.05 x 0.6mm   典型关断延迟时间 31 ns  Infineon 典型关断延迟时间 31 ns  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 31 ns  Infineon MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 31 ns   典型接通延迟时间 17 ns  Infineon 典型接通延迟时间 17 ns  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 17 ns  Infineon MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 17 ns   典型输入电容值@Vds 2060 pF @ 25 V  Infineon 典型输入电容值@Vds 2060 pF @ 25 V  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 2060 pF @ 25 V  Infineon MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 2060 pF @ 25 V   典型栅极电荷@Vgs 36 nC @ 10 V  Infineon 典型栅极电荷@Vgs 36 nC @ 10 V  MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 36 nC @ 10 V  Infineon MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 36 nC @ 10 V   封装类型 DirectFET MN  Infineon 封装类型 DirectFET MN  MOSFET 晶体管 封装类型 DirectFET MN  Infineon MOSFET 晶体管 封装类型 DirectFET MN   高度 0.6mm  Infineon 高度 0.6mm  MOSFET 晶体管 高度 0.6mm  Infineon MOSFET 晶体管 高度 0.6mm   宽度 5.05mm  Infineon 宽度 5.05mm  MOSFET 晶体管 宽度 5.05mm  Infineon MOSFET 晶体管 宽度 5.05mm   类别 功率 MOSFET  Infineon 类别 功率 MOSFET  MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET  Infineon MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET   每片芯片元件数目 1  Infineon 每片芯片元件数目 1  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1  Infineon MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1   通道类型 N  Infineon 通道类型 N  MOSFET 晶体管 通道类型 N  Infineon MOSFET 晶体管 通道类型 N   通道模式 增强  Infineon 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  Infineon MOSFET 晶体管 通道模式 增强   引脚数目 5  Infineon 引脚数目 5  MOSFET 晶体管 引脚数目 5  Infineon MOSFET 晶体管 引脚数目 5   最大功率耗散 2800 mW  Infineon 最大功率耗散 2800 mW  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 2800 mW  Infineon MOSFET 晶体管 最大功率耗散 2800 mW   最大连续漏极电流 12 A  Infineon 最大连续漏极电流 12 A  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 12 A  Infineon MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 12 A   最大漏源电压 80 V  Infineon 最大漏源电压 80 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 80 V  Infineon MOSFET 晶体管 最大漏源电压 80 V   最大漏源电阻值 10 mΩ  Infineon 最大漏源电阻值 10 mΩ  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 10 mΩ  Infineon MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 10 mΩ   最大栅源电压 ±20 V  Infineon 最大栅源电压 ±20 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V  Infineon MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V   最低工作温度 -40 °C  Infineon 最低工作温度 -40 °C  MOSFET 晶体管 最低工作温度 -40 °C  Infineon MOSFET 晶体管 最低工作温度 -40 °C   最高工作温度 +150 °C  Infineon 最高工作温度 +150 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  Infineon MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  

• MOSFET N HEXFET 80V 12A DirectFET MN Data Sheet