STD25NF10LT4,687-5068,STMicroelectronics STripFET II 系列 N沟道 Si MOSFET STD25NF10LT4, 25 A, Vds=100 V, 3引脚 DPAK封装 ,STMicroelectronics
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STMicroelectronics STripFET II 系列 N沟道 Si MOSFET STD25NF10LT4, 25 A, Vds=100 V, 3引脚 DPAK封装

制造商零件编号:
STD25NF10LT4
库存编号:
687-5068
STMicroelectronics STD25NF10LT4
声明:图片仅供参考,请以实物为准!

STD25NF10LT4产品详细信息

N 通道 STripFET? II,STMicroelectronics

STripFET? MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。

STD25NF10LT4产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  6.6mm  
  尺寸  6.6 x 6.2 x 2.4mm  
  典型关断延迟时间  58 ns  
  典型接通延迟时间  20 ns  
  典型输入电容值@Vds  1710 pF@ 25 V  
  典型栅极电荷@Vgs  38 nC @ 5 V  
  封装类型  DPAK  
  高度  2.4mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  6.2mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  系列  STripFET II  
  引脚数目  3  
  最大功率耗散  100 W  
  最大连续漏极电流  25 A  
  最大漏源电压  100 V  
  最大漏源电阻值  35 mΩ  
  最大栅阈值电压  2.5V  
  最大栅源电压  ±16 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +175 °C  
  最小栅阈值电压  1V  
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电话:400-900-3095
QQ:800152669

STD25NF10LT4产品技术参数资料

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