FDS6680AS,671-0609,Fairchild Semiconductor PowerTrench, SyncFET 系列 Si N沟道 MOSFET FDS6680AS, 11.5 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装 ,Fairchild Semiconductor
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Fairchild Semiconductor PowerTrench, SyncFET 系列 Si N沟道 MOSFET FDS6680AS, 11.5 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装

制造商零件编号：
FDS6680AS
库存编号：
671-0609
Fairchild Semiconductor FDS6680AS
声明：图片仅供参考，请以实物为准！

FDS6680AS产品详细信息

PowerTrench? SyncFET? MOSFET，Fairchild Semiconductor

设计用于尽量减少功率转换的损耗，同时保持极佳的切换性能
高性能通道技术，RDS（接通）极低
SyncFET? 得益于高效的肖特基主体二极管
应用：同步整流直流-直流转换器、电动机驱动器、网络负载点低侧开关

FDS6680AS产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  5mm  
  尺寸  5 x 4 x 1.5mm  
  典型关断延迟时间  18 ns，27 ns  
  典型接通延迟时间  9 ns, 11 ns  
  典型输入电容值@Vds  1240 pF @ 15 V  
  典型栅极电荷@Vgs  22 nC @ 10 V  
  封装类型  SOIC  
  高度  1.5mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  4mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  系列  PowerTrench, SyncFET  
  引脚数目  8  
  最大功率耗散  2.5 W  
  最大连续漏极电流  11.5 A  
  最大漏源电压  30 V  
  最大漏源电阻值  100 mΩ  
  最大栅源电压  ±20 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
  最小栅阈值电压  1V  
关键词         

FDS6680AS配套附件

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FDS6680AS相关搜索

安装类型 表面贴装  Fairchild Semiconductor 安装类型 表面贴装  MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装   长度 5mm  Fairchild Semiconductor 长度 5mm  MOSFET 晶体管 长度 5mm  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 长度 5mm   尺寸 5 x 4 x 1.5mm  Fairchild Semiconductor 尺寸 5 x 4 x 1.5mm  MOSFET 晶体管 尺寸 5 x 4 x 1.5mm  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 尺寸 5 x 4 x 1.5mm   典型关断延迟时间 18 ns，27 ns  Fairchild Semiconductor 典型关断延迟时间 18 ns，27 ns  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 18 ns，27 ns  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 18 ns，27 ns   典型接通延迟时间 9 ns, 11 ns  Fairchild Semiconductor 典型接通延迟时间 9 ns, 11 ns  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 9 ns, 11 ns  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 9 ns, 11 ns   典型输入电容值@Vds 1240 pF @ 15 V  Fairchild Semiconductor 典型输入电容值@Vds 1240 pF @ 15 V  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 1240 pF @ 15 V  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 1240 pF @ 15 V   典型栅极电荷@Vgs 22 nC @ 10 V  Fairchild Semiconductor 典型栅极电荷@Vgs 22 nC @ 10 V  MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 22 nC @ 10 V  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 22 nC @ 10 V   封装类型 SOIC  Fairchild Semiconductor 封装类型 SOIC  MOSFET 晶体管 封装类型 SOIC  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 封装类型 SOIC   高度 1.5mm  Fairchild Semiconductor 高度 1.5mm  MOSFET 晶体管 高度 1.5mm  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 高度 1.5mm   晶体管材料 Si  Fairchild Semiconductor 晶体管材料 Si  MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si   晶体管配置 单  Fairchild Semiconductor 晶体管配置 单  MOSFET 晶体管 晶体管配置 单  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 晶体管配置 单   宽度 4mm  Fairchild Semiconductor 宽度 4mm  MOSFET 晶体管 宽度 4mm  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 宽度 4mm   类别 功率 MOSFET  Fairchild Semiconductor 类别 功率 MOSFET  MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET   每片芯片元件数目 1  Fairchild Semiconductor 每片芯片元件数目 1  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1   通道类型 N  Fairchild Semiconductor 通道类型 N  MOSFET 晶体管 通道类型 N  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 通道类型 N   通道模式 增强  Fairchild Semiconductor 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 通道模式 增强   系列 PowerTrench, SyncFET  Fairchild Semiconductor 系列 PowerTrench, SyncFET  MOSFET 晶体管 系列 PowerTrench, SyncFET  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 系列 PowerTrench, SyncFET   引脚数目 8  Fairchild Semiconductor 引脚数目 8  MOSFET 晶体管 引脚数目 8  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 引脚数目 8   最大功率耗散 2.5 W  Fairchild Semiconductor 最大功率耗散 2.5 W  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 2.5 W  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最大功率耗散 2.5 W   最大连续漏极电流 11.5 A  Fairchild Semiconductor 最大连续漏极电流 11.5 A  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 11.5 A  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 11.5 A   最大漏源电压 30 V  Fairchild Semiconductor 最大漏源电压 30 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 30 V  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最大漏源电压 30 V   最大漏源电阻值 100 mΩ  Fairchild Semiconductor 最大漏源电阻值 100 mΩ  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 100 mΩ  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 100 mΩ   最大栅源电压 ±20 V  Fairchild Semiconductor 最大栅源电压 ±20 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V   最低工作温度 -55 °C  Fairchild Semiconductor 最低工作温度 -55 °C  MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C   最高工作温度 +150 °C  Fairchild Semiconductor 最高工作温度 +150 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C   最小栅阈值电压 1V  Fairchild Semiconductor 最小栅阈值电压 1V  MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 1V  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 1V  
电话:400-900-3095
QQ:800152669

FDS6680AS产品技术参数资料

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