FDS2582,671-0479,Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDS2582, 4.1 A, Vds=150 V, 8引脚 SOIC封装 ,Fairchild Semiconductor
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDS2582, 4.1 A, Vds=150 V, 8引脚 SOIC封装

制造商零件编号:
FDS2582
库存编号:
671-0479
Fairchild Semiconductor FDS2582
声明:图片仅供参考,请以实物为准!

FDS2582产品详细信息

PowerTrench? N 通道 MOSFET,高达 9.9A,Fairchild Semiconductor

FDS2582产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  5mm  
  尺寸  5 x 4 x 1.5mm  
  典型关断延迟时间  36 ns  
  典型接通延迟时间  11 ns  
  典型输入电容值@Vds  1290 pF @ 25 V  
  典型栅极电荷@Vgs  19 nC @ 10 V  
  封装类型  SOIC  
  高度  1.5mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  4mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  系列  PowerTrench  
  引脚数目  8  
  最大功率耗散  2500 mW  
  最大连续漏极电流  4.1 A  
  最大漏源电压  150 V  
  最大漏源电阻值  66 mΩ  
  最大栅源电压  ±20 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
  最小栅阈值电压  2V  
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FDS2582产品技术参数资料

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