FDG8842CZ,671-0368,Fairchild Semiconductor 双 N/P沟道 Si MOSFET FDG8842CZ, 410 mA,750 mA, Vds=25 V,30 V, 6引脚 SC-70封装 ,Fairchild Semiconductor
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Fairchild Semiconductor 双 N/P沟道 Si MOSFET FDG8842CZ, 410 mA,750 mA, Vds=25 V,30 V, 6引脚 SC-70封装

制造商零件编号:
FDG8842CZ
库存编号:
671-0368
Fairchild Semiconductor FDG8842CZ
声明:图片仅供参考,请以实物为准!

FDG8842CZ产品详细信息

N/P 通道双 MOSFET,Fairchild Semiconductor

FDG8842CZ产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  2mm  
  尺寸  2 x 1.25 x 1mm  
  典型关断延迟时间  9 ns, 35 ns  
  典型接通延迟时间  4 (N) ns, 6 (P) ns  
  典型输入电容值@Vds  70 pF@ 10 V, 90 pF@ 10 V  
  典型栅极电荷@Vgs  1.03 nC @ 4.5 V,1.2 nC @ 4.5 V  
  封装类型  SC-70  
  高度  1mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  隔离式  
  宽度  1.25mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  2  
  通道类型  N,P  
  通道模式  增强  
  引脚数目  6  
  最大功率耗散  360 mW  
  最大连续漏极电流  410 mA,750 mA  
  最大漏源电压  25 V,30 V  
  最大漏源电阻值  1.1 Ω,400 mΩ  
  最大栅源电压  ±12(N 沟道) V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
  最小栅阈值电压  0.65V  
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FDG8842CZ产品技术参数资料

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