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安装类型	表面贴装
长度	2.2mm
尺寸	2.2 x 1.35 x 0.9mm
典型输入电容值@Vds	2.3 pF @ 5 V，3.6 pF @ 5 V
封装类型	SOT-343R
高度	0.9mm
晶体管配置	单
宽度	1.35mm
类别	射频 MOSFET
每片芯片元件数目	1
通道类型	N
通道模式	增强
引脚数目	4
最大功率耗散	280 mW
最大连续漏极电流	40 mA
最大漏源电压	7 V
最大栅阈值电压	1.2V
最高工作温度	+150 °C
最小栅阈值电压	0.3V
关键词

安装类型 表面贴装  NXP 安装类型 表面贴装  MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装  NXP MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装   长度 2.2mm  NXP 长度 2.2mm  MOSFET 晶体管 长度 2.2mm  NXP MOSFET 晶体管 长度 2.2mm   尺寸 2.2 x 1.35 x 0.9mm  NXP 尺寸 2.2 x 1.35 x 0.9mm  MOSFET 晶体管 尺寸 2.2 x 1.35 x 0.9mm  NXP MOSFET 晶体管 尺寸 2.2 x 1.35 x 0.9mm   典型输入电容值@Vds 2.3 pF @ 5 V，3.6 pF @ 5 V  NXP 典型输入电容值@Vds 2.3 pF @ 5 V，3.6 pF @ 5 V  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 2.3 pF @ 5 V，3.6 pF @ 5 V  NXP MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 2.3 pF @ 5 V，3.6 pF @ 5 V   封装类型 SOT-343R  NXP 封装类型 SOT-343R  MOSFET 晶体管 封装类型 SOT-343R  NXP MOSFET 晶体管 封装类型 SOT-343R   高度 0.9mm  NXP 高度 0.9mm  MOSFET 晶体管 高度 0.9mm  NXP MOSFET 晶体管 高度 0.9mm   晶体管配置 单  NXP 晶体管配置 单  MOSFET 晶体管 晶体管配置 单  NXP MOSFET 晶体管 晶体管配置 单   宽度 1.35mm  NXP 宽度 1.35mm  MOSFET 晶体管 宽度 1.35mm  NXP MOSFET 晶体管 宽度 1.35mm   类别 射频 MOSFET  NXP 类别 射频 MOSFET  MOSFET 晶体管 类别 射频 MOSFET  NXP MOSFET 晶体管 类别 射频 MOSFET   每片芯片元件数目 1  NXP 每片芯片元件数目 1  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1  NXP MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1   通道类型 N  NXP 通道类型 N  MOSFET 晶体管 通道类型 N  NXP MOSFET 晶体管 通道类型 N   通道模式 增强  NXP 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  NXP MOSFET 晶体管 通道模式 增强   引脚数目 4  NXP 引脚数目 4  MOSFET 晶体管 引脚数目 4  NXP MOSFET 晶体管 引脚数目 4   最大功率耗散 280 mW  NXP 最大功率耗散 280 mW  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 280 mW  NXP MOSFET 晶体管 最大功率耗散 280 mW   最大连续漏极电流 40 mA  NXP 最大连续漏极电流 40 mA  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 40 mA  NXP MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 40 mA   最大漏源电压 7 V  NXP 最大漏源电压 7 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 7 V  NXP MOSFET 晶体管 最大漏源电压 7 V   最大栅阈值电压 1.2V  NXP 最大栅阈值电压 1.2V  MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 1.2V  NXP MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 1.2V   最高工作温度 +150 °C  NXP 最高工作温度 +150 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  NXP MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C   最小栅阈值电压 0.3V  NXP 最小栅阈值电压 0.3V  MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 0.3V  NXP MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 0.3V  

• BF909WR N-channel dual-gate MOS-FET Data Sheet