BF1208,115,626-2254,NXP 双 Si N沟道 MOSFET 四极管 BF1208,115, 30 mA, Vds=6 V, 6引脚 SOT-666封装 ,NXP
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NXP 双 Si N沟道 MOSFET 四极管 BF1208,115, 30 mA, Vds=6 V, 6引脚 SOT-666封装

制造商零件编号:
BF1208,115
制造商:
NXP NXP
库存编号:
626-2254
NXP BF1208,115
声明:图片仅供参考,请以实物为准!

BF1208,115产品详细信息

双栅极射频 MOSFET 晶体管,Nexperia

BF1208,115产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  1.7mm  
  尺寸  1.7 x 1.3 x 0.6mm  
  典型功率增益  36 dB,37 dB  
  典型输入电容值@Vds  2 pF @ 5 V,2.2 pF @ 5 V,3 pF @ 5 V,3.4 pF @ 5 V  
  封装类型  SOT-666  
  高度  0.6mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  共源  
  宽度  1.3mm  
  类别  射频 MOSFET  
  每片芯片元件数目  2  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  引脚数目  6  
  最大功率耗散  180 mW  
  最大连续漏极电流  30 mA  
  最大漏源电压  6 V  
  最大栅阈值电压  1V  
  最大栅源电压  6 V  
  最低工作温度  -65 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
  最小栅阈值电压  0.3V  
关键词         

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BF1208,115产品技术参数资料

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