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安装类型	通孔
长度	10.3mm
尺寸	10.3 x 4.7 x 9mm
典型输入电容值@Vds	700 pF @ 25 V
典型栅极电荷@Vgs	60 nC @ 10 V
封装类型	TO-220
高度	9mm
宽度	4.7mm
类别	功率 MOSFET
每片芯片元件数目	1
通道类型	N
通道模式	增强
引脚数目	3
最大功率耗散	100 W
最大连续漏极电流	4 A
最大漏源电压	1000 V
最大漏源电阻值	3.8 Ω
最大栅源电压	±20 V
最低工作温度	-55 °C
最高工作温度	+150 °C
关键词

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• 2SK1119 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type Data Sheet