TPC8017-H(Q),601-5418,Toshiba N沟道 MOSFET 晶体管 TPC8017-H(Q), 15 A, Vds=30 V, 8引脚 SOP封装 ,Toshiba
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Toshiba N沟道 MOSFET 晶体管 TPC8017-H(Q), 15 A, Vds=30 V, 8引脚 SOP封装

制造商零件编号:
TPC8017-H(Q)
制造商:
Toshiba Toshiba
库存编号:
601-5418
Toshiba TPC8017-H(Q)
声明:图片仅供参考,请以实物为准!

TPC8017-H(Q)产品详细信息

MOSFET N 通道,2SK 系列,Toshiba

TPC8017-H(Q)产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  5mm  
  尺寸  5 x 4.4 x 1.5mm  
  典型输入电容值@Vds  1465 pF V @ 10  
  典型栅极电荷@Vgs  14 nC V @ 5, 25 nC V @ 10  
  封装类型  SOP  
  高度  1.5mm  
  宽度  4.4mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  引脚数目  8  
  最大功率耗散  1900 mW  
  最大连续漏极电流  15 A  
  最大漏源电压  30 V  
  最大漏源电阻值  0.007 Ω  
  最大栅源电压  ±20 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
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