IRFL110PBF,541-0418,Vishay Si N沟道 MOSFET IRFL110PBF, 1.5 A, Vds=100 V, 4引脚 SOT-223封装 ,Vishay
ROHM代理商
专业代理销售ROHM（罗姆）全系列产品
美国1号分类选型新加坡2号分类选型英国10号分类选型英国2号分类选型日本5号分类选型

在本站结果里搜索：    
热门搜索词：万用表  电容  molex  连接器  NSX系列  63V 5mm  TDC180-5A  H8670VBAAA  804-8394  TDC180-5A

Vishay Si N沟道 MOSFET IRFL110PBF, 1.5 A, Vds=100 V, 4引脚 SOT-223封装

制造商零件编号：
IRFL110PBF
制造商：
Vishay Vishay
库存编号：
541-0418
Vishay IRFL110PBF
声明：图片仅供参考，请以实物为准！

IRFL110PBF产品详细信息

N 通道 MOSFET，100V 至 150V，Vishay Semiconductor

IRFL110PBF产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  6.7mm  
  尺寸  6.7 x 3.7 x 1.45mm  
  典型关断延迟时间  15 ns  
  典型接通延迟时间  6.9 ns  
  典型输入电容值@Vds  180 pF@ 25 V  
  典型栅极电荷@Vgs  8.3 nC @ 10 V  
  封装类型  SOT-223  
  高度  1.45mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  3.7mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  引脚数目  4  
  最大功率耗散  2 W  
  最大连续漏极电流  1.5 A  
  最大漏源电压  100 V  
  最大漏源电阻值  540 mΩ  
  最大栅源电压  ±20 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
  最小栅阈值电压  2V  
关键词         

IRFL110PBF关联产品

  • 产品描述 / 参考图片
  • 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
  • 操作

IRFL110PBF相关搜索

安装类型 表面贴装  Vishay 安装类型 表面贴装  MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装  Vishay MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装   长度 6.7mm  Vishay 长度 6.7mm  MOSFET 晶体管 长度 6.7mm  Vishay MOSFET 晶体管 长度 6.7mm   尺寸 6.7 x 3.7 x 1.45mm  Vishay 尺寸 6.7 x 3.7 x 1.45mm  MOSFET 晶体管 尺寸 6.7 x 3.7 x 1.45mm  Vishay MOSFET 晶体管 尺寸 6.7 x 3.7 x 1.45mm   典型关断延迟时间 15 ns  Vishay 典型关断延迟时间 15 ns  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 15 ns  Vishay MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 15 ns   典型接通延迟时间 6.9 ns  Vishay 典型接通延迟时间 6.9 ns  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 6.9 ns  Vishay MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 6.9 ns   典型输入电容值@Vds 180 pF@ 25 V  Vishay 典型输入电容值@Vds 180 pF@ 25 V  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 180 pF@ 25 V  Vishay MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 180 pF@ 25 V   典型栅极电荷@Vgs 8.3 nC @ 10 V  Vishay 典型栅极电荷@Vgs 8.3 nC @ 10 V  MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 8.3 nC @ 10 V  Vishay MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 8.3 nC @ 10 V   封装类型 SOT-223  Vishay 封装类型 SOT-223  MOSFET 晶体管 封装类型 SOT-223  Vishay MOSFET 晶体管 封装类型 SOT-223   高度 1.45mm  Vishay 高度 1.45mm  MOSFET 晶体管 高度 1.45mm  Vishay MOSFET 晶体管 高度 1.45mm   晶体管材料 Si  Vishay 晶体管材料 Si  MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si  Vishay MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si   晶体管配置 单  Vishay 晶体管配置 单  MOSFET 晶体管 晶体管配置 单  Vishay MOSFET 晶体管 晶体管配置 单   宽度 3.7mm  Vishay 宽度 3.7mm  MOSFET 晶体管 宽度 3.7mm  Vishay MOSFET 晶体管 宽度 3.7mm   类别 功率 MOSFET  Vishay 类别 功率 MOSFET  MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET  Vishay MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET   每片芯片元件数目 1  Vishay 每片芯片元件数目 1  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1  Vishay MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1   通道类型 N  Vishay 通道类型 N  MOSFET 晶体管 通道类型 N  Vishay MOSFET 晶体管 通道类型 N   通道模式 增强  Vishay 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  Vishay MOSFET 晶体管 通道模式 增强   引脚数目 4  Vishay 引脚数目 4  MOSFET 晶体管 引脚数目 4  Vishay MOSFET 晶体管 引脚数目 4   最大功率耗散 2 W  Vishay 最大功率耗散 2 W  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 2 W  Vishay MOSFET 晶体管 最大功率耗散 2 W   最大连续漏极电流 1.5 A  Vishay 最大连续漏极电流 1.5 A  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 1.5 A  Vishay MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 1.5 A   最大漏源电压 100 V  Vishay 最大漏源电压 100 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 100 V  Vishay MOSFET 晶体管 最大漏源电压 100 V   最大漏源电阻值 540 mΩ  Vishay 最大漏源电阻值 540 mΩ  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 540 mΩ  Vishay MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 540 mΩ   最大栅源电压 ±20 V  Vishay 最大栅源电压 ±20 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V  Vishay MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V   最低工作温度 -55 °C  Vishay 最低工作温度 -55 °C  MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C  Vishay MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C   最高工作温度 +150 °C  Vishay 最高工作温度 +150 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  Vishay MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C   最小栅阈值电压 2V  Vishay 最小栅阈值电压 2V  MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 2V  Vishay MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 2V  
电话:400-900-3095
QQ:800152669

IRFL110PBF产品技术参数资料

ROHM半导体简介  |  ROHM产品  |  ROHM动态  |  产品应用  |  按产品系列选型  |  按产品规格选型  |  ROHM选型手册
Copyright © 2017 http://www.rohm-chip.com All Rights Reserved. 技术支持：电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号