IRFR9024NPBF,541-0109,Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRFR9024NPBF, 11 A, Vds=55 V, 3引脚 DPAK封装 ,Infineon
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Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRFR9024NPBF, 11 A, Vds=55 V, 3引脚 DPAK封装

制造商零件编号：
IRFR9024NPBF
库存编号：
541-0109
Infineon IRFR9024NPBF
声明：图片仅供参考，请以实物为准！

IRFR9024NPBF产品详细信息

P 通道功率 MOSFET 40V 到 55V，Infineon

Infineon 分立 HEXFET? 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 P 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。

IRFR9024NPBF产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  6.73mm  
  尺寸  6.73 x 6.22 x 2.39mm  
  典型关断延迟时间  23 ns  
  典型接通延迟时间  13 ns  
  典型输入电容值@Vds  350 pF@ 25 V  
  典型栅极电荷@Vgs  19 nC @ 10 V  
  封装类型  DPAK  
  高度  2.39mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  6.22mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  P  
  通道模式  增强  
  系列  HEXFET  
  引脚数目  3  
  最大功率耗散  38 W  
  最大连续漏极电流  11 A  
  最大漏源电压  55 V  
  最大漏源电阻值  175 mΩ  
  最大栅阈值电压  4V  
  最大栅源电压  ±20 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
  最小栅阈值电压  2V  
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IRFR9024NPBF产品技术参数资料

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