BSP295,445-2269,Infineon SIPMOS 系列 Si N沟道 MOSFET BSP295, 1.8 A, Vds=60 V, 3针+焊片 SOT-223封装 ,Infineon
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Infineon SIPMOS 系列 Si N沟道 MOSFET BSP295, 1.8 A, Vds=60 V, 3针+焊片 SOT-223封装

制造商零件编号:
BSP295
库存编号:
445-2269
Infineon BSP295
声明:图片仅供参考,请以实物为准!

BSP295产品详细信息

Infineon SIPMOS? N 通道 MOSFET

BSP295产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  6.5mm  
  尺寸  6.5 x 3.5 x 1.6mm  
  典型关断延迟时间  27 ns  
  典型接通延迟时间  5.4 ns  
  典型输入电容值@Vds  295 pF@ 25 V  
  典型栅极电荷@Vgs  14 nC @ 10 V  
  封装类型  SOT-223  
  高度  1.6mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  3.5mm  
  类别  小信号  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  系列  SIPMOS  
  引脚数目  3+Tab  
  最大功率耗散  1.8 W  
  最大连续漏极电流  1.8 A  
  最大漏源电压  60 V  
  最大漏源电阻值  300 mΩ  
  最大栅阈值电压  2V  
  最大栅源电压  ±20 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
  最小栅阈值电压  0.8V  
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