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安装类型	通孔
长度	39.95mm
尺寸	39.95 x 26.67 x 7.87mm
典型关断延迟时间	21 ns
典型接通延迟时间	21 ns
典型输入电容值@Vds	1660 pF @ 25 V
典型栅极电荷@Vgs	359 nC @ 10 V
封装类型	TO-3
高度	7.87mm
晶体管材料	Si
晶体管配置	单
宽度	26.67mm
类别	功率 MOSFET
每片芯片元件数目	1
通道类型	N
通道模式	增强
引脚数目	3
最大功率耗散	125 W
最大连续漏极电流	28 A
最大漏源电压	100 V
最大漏源电阻值	89 mΩ
最大栅阈值电压	4V
最大栅源电压	±20 V
最低工作温度	-55 °C
最高工作温度	+150 °C
关键词

• 产品描述 / 参考图片
• 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
• 操作

• Wurth Elektronik 930件 铁氧体设计套件 823999
• 制造商零件编号：
  823999
  品牌：
  Wurth Elektronik
  库存编号：
  762-2124
  
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安装类型 通孔  Magnatec 安装类型 通孔  MOSFET 晶体管 安装类型 通孔  Magnatec MOSFET 晶体管 安装类型 通孔   长度 39.95mm  Magnatec 长度 39.95mm  MOSFET 晶体管 长度 39.95mm  Magnatec MOSFET 晶体管 长度 39.95mm   尺寸 39.95 x 26.67 x 7.87mm  Magnatec 尺寸 39.95 x 26.67 x 7.87mm  MOSFET 晶体管 尺寸 39.95 x 26.67 x 7.87mm  Magnatec MOSFET 晶体管 尺寸 39.95 x 26.67 x 7.87mm   典型关断延迟时间 21 ns  Magnatec 典型关断延迟时间 21 ns  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 21 ns  Magnatec MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 21 ns   典型接通延迟时间 21 ns  Magnatec 典型接通延迟时间 21 ns  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 21 ns  Magnatec MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 21 ns   典型输入电容值@Vds 1660 pF @ 25 V  Magnatec 典型输入电容值@Vds 1660 pF @ 25 V  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 1660 pF @ 25 V  Magnatec MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 1660 pF @ 25 V   典型栅极电荷@Vgs 359 nC @ 10 V  Magnatec 典型栅极电荷@Vgs 359 nC @ 10 V  MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 359 nC @ 10 V  Magnatec MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 359 nC @ 10 V   封装类型 TO-3  Magnatec 封装类型 TO-3  MOSFET 晶体管 封装类型 TO-3  Magnatec MOSFET 晶体管 封装类型 TO-3   高度 7.87mm  Magnatec 高度 7.87mm  MOSFET 晶体管 高度 7.87mm  Magnatec MOSFET 晶体管 高度 7.87mm   晶体管材料 Si  Magnatec 晶体管材料 Si  MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si  Magnatec MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si   晶体管配置 单  Magnatec 晶体管配置 单  MOSFET 晶体管 晶体管配置 单  Magnatec MOSFET 晶体管 晶体管配置 单   宽度 26.67mm  Magnatec 宽度 26.67mm  MOSFET 晶体管 宽度 26.67mm  Magnatec MOSFET 晶体管 宽度 26.67mm   类别 功率 MOSFET  Magnatec 类别 功率 MOSFET  MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET  Magnatec MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET   每片芯片元件数目 1  Magnatec 每片芯片元件数目 1  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1  Magnatec MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1   通道类型 N  Magnatec 通道类型 N  MOSFET 晶体管 通道类型 N  Magnatec MOSFET 晶体管 通道类型 N   通道模式 增强  Magnatec 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  Magnatec MOSFET 晶体管 通道模式 增强   引脚数目 3  Magnatec 引脚数目 3  MOSFET 晶体管 引脚数目 3  Magnatec MOSFET 晶体管 引脚数目 3   最大功率耗散 125 W  Magnatec 最大功率耗散 125 W  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 125 W  Magnatec MOSFET 晶体管 最大功率耗散 125 W   最大连续漏极电流 28 A  Magnatec 最大连续漏极电流 28 A  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 28 A  Magnatec MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 28 A   最大漏源电压 100 V  Magnatec 最大漏源电压 100 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 100 V  Magnatec MOSFET 晶体管 最大漏源电压 100 V   最大漏源电阻值 89 mΩ  Magnatec 最大漏源电阻值 89 mΩ  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 89 mΩ  Magnatec MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 89 mΩ   最大栅阈值电压 4V  Magnatec 最大栅阈值电压 4V  MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 4V  Magnatec MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 4V   最大栅源电压 ±20 V  Magnatec 最大栅源电压 ±20 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V  Magnatec MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V   最低工作温度 -55 °C  Magnatec 最低工作温度 -55 °C  MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C  Magnatec MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C   最高工作温度 +150 °C  Magnatec 最高工作温度 +150 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  Magnatec MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  

• N-CH Power MOSFET