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安装类型	通孔
长度	9.4mm
尺寸	9.4 x 9.4 x 4.57mm
典型关断延迟时间	50 ns
典型接通延迟时间	60 ns
典型输入电容值@Vds	380 pF@ 25 V
典型栅极电荷@Vgs	16.3 nC @ 10 V
封装类型	TO-39
高度	4.57mm
晶体管材料	Si
晶体管配置	单
宽度	9.4mm
类别	功率 MOSFET
每片芯片元件数目	1
通道类型	P
通道模式	增强
引脚数目	3
最大功率耗散	20 W
最大连续漏极电流	4 A
最大漏源电压	100 V
最大漏源电阻值	690 mΩ
最大栅阈值电压	4V
最大栅源电压	±20 V
最低工作温度	-55 °C
最高工作温度	+150 °C
关键词

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• P–CH Enhancement MOSFET Datasheet