PSMN8R3-40YS,103-8129,NXP Si N沟道 MOSFET PSMN8R3-40YS, 70 A, Vds=40 V, 4引脚 SOT-669封装 ,Nexperia
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NXP Si N沟道 MOSFET PSMN8R3-40YS, 70 A, Vds=40 V, 4引脚 SOT-669封装

制造商零件编号:
PSMN8R3-40YS
库存编号:
103-8129
Nexperia PSMN8R3-40YS
声明:图片仅供参考,请以实物为准!

PSMN8R3-40YS产品详细信息

N 通道 MOSFET,10A 至 99A,Nexperia

PSMN8R3-40YS产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  5mm  
  尺寸  5 x 4.1 x 1.1mm  
  典型关断延迟时间  21 ns  
  典型接通延迟时间  13 ns  
  典型输入电容值@Vds  1215 pF @ 20 V  
  典型栅极电荷@Vgs  20 nC @ 10 V  
  封装类型  SOT-669  
  高度  1.1mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  4.1mm  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  引脚数目  4  
  最大功率耗散  74 W  
  最大连续漏极电流  70 A  
  最大漏源电压  40 V  
  最大漏源电阻值  11.6 mΩ  
  最大栅阈值电压  4V  
  最大栅源电压  ±20 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +175 °C  
  最小栅阈值电压  2V  
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PSMN8R3-40YS产品技术参数资料

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