PSMN1R2-30YLC,103-8122,NXP Si N沟道 MOSFET PSMN1R2-30YLC, 100 A, Vds=30 V, 4引脚 SOT-669封装 ,Nexperia
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NXP Si N沟道 MOSFET PSMN1R2-30YLC, 100 A, Vds=30 V, 4引脚 SOT-669封装

制造商零件编号:
PSMN1R2-30YLC
库存编号:
103-8122
Nexperia PSMN1R2-30YLC
声明:图片仅供参考,请以实物为准!

PSMN1R2-30YLC产品详细信息

N 通道 MOSFET,超过 100A,Nexperia

PSMN1R2-30YLC产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  5mm  
  尺寸  5 x 4.1 x 1.1mm  
  典型关断延迟时间  75 ns  
  典型接通延迟时间  36 ns  
  典型输入电容值@Vds  5093 pF @ 15 V  
  典型栅极电荷@Vgs  78 nC @ 10 V  
  封装类型  SOT-669  
  高度  1.1mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  4.1mm  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  引脚数目  4  
  最大功率耗散  215 W  
  最大连续漏极电流  100 A  
  最大漏源电压  30 V  
  最大漏源电阻值  1.65 mΩ  
  最大栅阈值电压  1.95V  
  最大栅源电压  ±20 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +175 °C  
  最小栅阈值电压  1.05V  
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电话:400-900-3095
QQ:800152669

PSMN1R2-30YLC产品技术参数资料

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