PH2520U,115,508-579,NXP N沟道 MOSFET 晶体管 PH2520U,115, 100 A, Vds=20 V, 5引脚 LFPAK封装 ,NXP
ROHM代理商
专业代理销售ROHM(罗姆)全系列产品
美国1号分类选型新加坡2号分类选型英国10号分类选型英国2号分类选型日本5号分类选型

在本站结果里搜索:    
热门搜索词:万用表  电容  molex  连接器  NSX系列  63V 5mm  TDC180-5A  H8670VBAAA  804-8394  TDC180-5A

NXP N沟道 MOSFET 晶体管 PH2520U,115, 100 A, Vds=20 V, 5引脚 LFPAK封装

制造商零件编号:
PH2520U,115
制造商:
NXP NXP
库存编号:
508-579
NXP PH2520U,115
声明:图片仅供参考,请以实物为准!

PH2520U,115产品详细信息

N 通道 MOSFET,超过 100A,Nexperia

PH2520U,115产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  5mm  
  尺寸  5 x 4.1 x 1.1mm  
  典型关断延迟时间  318 ns  
  典型接通延迟时间  34 ns  
  典型输入电容值@Vds  5850 pF@ 10 V  
  典型栅极电荷@Vgs  78 nC @ 4.5 V  
  封装类型  LFPAK  
  高度  1.1mm  
  晶体管配置  单  
  宽度  4.1mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  引脚数目  5  
  最大功率耗散  62500 mW  
  最大连续漏极电流  100 A  
  最大漏源电压  20 V  
  最大漏源电阻值  3 mΩ  
  最大栅阈值电压  0.95V  
  最大栅源电压  10 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
  最小栅阈值电压  0.45V  
关键词         

PH2520U,115配套附件

  • 产品描述 / 参考图片
  • 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
  • 操作

PH2520U,115相关搜索

安装类型 表面贴装  NXP 安装类型 表面贴装  MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装  NXP MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装   长度 5mm  NXP 长度 5mm  MOSFET 晶体管 长度 5mm  NXP MOSFET 晶体管 长度 5mm   尺寸 5 x 4.1 x 1.1mm  NXP 尺寸 5 x 4.1 x 1.1mm  MOSFET 晶体管 尺寸 5 x 4.1 x 1.1mm  NXP MOSFET 晶体管 尺寸 5 x 4.1 x 1.1mm   典型关断延迟时间 318 ns  NXP 典型关断延迟时间 318 ns  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 318 ns  NXP MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 318 ns   典型接通延迟时间 34 ns  NXP 典型接通延迟时间 34 ns  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 34 ns  NXP MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 34 ns   典型输入电容值@Vds 5850 pF@ 10 V  NXP 典型输入电容值@Vds 5850 pF@ 10 V  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 5850 pF@ 10 V  NXP MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 5850 pF@ 10 V   典型栅极电荷@Vgs 78 nC @ 4.5 V  NXP 典型栅极电荷@Vgs 78 nC @ 4.5 V  MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 78 nC @ 4.5 V  NXP MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 78 nC @ 4.5 V   封装类型 LFPAK  NXP 封装类型 LFPAK  MOSFET 晶体管 封装类型 LFPAK  NXP MOSFET 晶体管 封装类型 LFPAK   高度 1.1mm  NXP 高度 1.1mm  MOSFET 晶体管 高度 1.1mm  NXP MOSFET 晶体管 高度 1.1mm   晶体管配置 单  NXP 晶体管配置 单  MOSFET 晶体管 晶体管配置 单  NXP MOSFET 晶体管 晶体管配置 单   宽度 4.1mm  NXP 宽度 4.1mm  MOSFET 晶体管 宽度 4.1mm  NXP MOSFET 晶体管 宽度 4.1mm   类别 功率 MOSFET  NXP 类别 功率 MOSFET  MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET  NXP MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET   每片芯片元件数目 1  NXP 每片芯片元件数目 1  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1  NXP MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1   通道类型 N  NXP 通道类型 N  MOSFET 晶体管 通道类型 N  NXP MOSFET 晶体管 通道类型 N   通道模式 增强  NXP 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  NXP MOSFET 晶体管 通道模式 增强   引脚数目 5  NXP 引脚数目 5  MOSFET 晶体管 引脚数目 5  NXP MOSFET 晶体管 引脚数目 5   最大功率耗散 62500 mW  NXP 最大功率耗散 62500 mW  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 62500 mW  NXP MOSFET 晶体管 最大功率耗散 62500 mW   最大连续漏极电流 100 A  NXP 最大连续漏极电流 100 A  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 100 A  NXP MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 100 A   最大漏源电压 20 V  NXP 最大漏源电压 20 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 20 V  NXP MOSFET 晶体管 最大漏源电压 20 V   最大漏源电阻值 3 mΩ  NXP 最大漏源电阻值 3 mΩ  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 3 mΩ  NXP MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 3 mΩ   最大栅阈值电压 0.95V  NXP 最大栅阈值电压 0.95V  MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 0.95V  NXP MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 0.95V   最大栅源电压 10 V  NXP 最大栅源电压 10 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 10 V  NXP MOSFET 晶体管 最大栅源电压 10 V   最低工作温度 -55 °C  NXP 最低工作温度 -55 °C  MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C  NXP MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C   最高工作温度 +150 °C  NXP 最高工作温度 +150 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  NXP MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C   最小栅阈值电压 0.45V  NXP 最小栅阈值电压 0.45V  MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 0.45V  NXP MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 0.45V  
电话:400-900-3095
QQ:800152669

PH2520U,115产品技术参数资料

ROHM半导体简介  |  ROHM产品  |  ROHM动态  |  产品应用  |  按产品系列选型  |  按产品规格选型  |  ROHM选型手册
Copyright © 2017 http://www.rohm-chip.com All Rights Reserved. 技术支持:电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号