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安装类型	表面贴装
长度	3mm
尺寸	3 x 1.4 x 1mm
典型关断延迟时间	8 ns
典型接通延迟时间	6 ns
典型输入电容值@Vds	138 pF V @ 25
典型栅极电荷@Vgs	4.6 nC V @ 10
封装类型	TO-236AB
高度	1mm
晶体管材料	Si
晶体管配置	单
宽度	1.4mm
类别	功率 MOSFET
每片芯片元件数目	1
通道类型	N
通道模式	增强
引脚数目	3
最大功率耗散	830 mW
最大连续漏极电流	0.85 A
最大漏源电压	100 V
最大漏源电阻值	0.5 Ω
最大栅阈值电压	4V
最大栅源电压	±20 V
最低工作温度	-55 °C
最高工作温度	+150 °C
最小栅阈值电压	2V
关键词

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