IRF7524D1TRPBF,301-530,Infineon FETKY 系列 Si P沟道 MOSFET IRF7524D1TRPBF, 1.7 A, Vds=20 V, 8引脚 MSOP封装 ,Infineon
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Infineon FETKY 系列 Si P沟道 MOSFET IRF7524D1TRPBF, 1.7 A, Vds=20 V, 8引脚 MSOP封装

制造商零件编号:
IRF7524D1TRPBF
库存编号:
301-530
Infineon IRF7524D1TRPBF
声明:图片仅供参考,请以实物为准!

IRF7524D1TRPBF产品详细信息

FETKY? IRF73xx / IRF74xx / IRF75xx / IRF78xx,Infineon

HEXFET 与肖特基二极管于同一个封装内
适用于同步调节器应用
低 VF 肖特基整流器
显著节省板空间
缩短设计时间,削减装配成本和库存成本

IRF7524D1TRPBF产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  3mm  
  尺寸  3 x 3 x 0.86mm  
  典型关断延迟时间  38 ns  
  典型接通延迟时间  9.1 ns  
  典型输入电容值@Vds  240 pF @ 15 V  
  典型栅极电荷@Vgs  5.4 nC @ 4.5 V  
  封装类型  MSOP  
  高度  0.86mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  3mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  P  
  通道模式  增强  
  系列  FETKY  
  引脚数目  8  
  最大功率耗散  1250 mW  
  最大连续漏极电流  1.7 A  
  最大漏源电压  20 V  
  最大漏源电阻值  270 mΩ  
  最大栅阈值电压  0.7V  
  最大栅源电压  ±12 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
  最小栅阈值电压  0.7V  
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IRF7524D1TRPBF相关搜索

安装类型 表面贴装  Infineon 安装类型 表面贴装  MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装  Infineon MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装   长度 3mm  Infineon 长度 3mm  MOSFET 晶体管 长度 3mm  Infineon MOSFET 晶体管 长度 3mm   尺寸 3 x 3 x 0.86mm  Infineon 尺寸 3 x 3 x 0.86mm  MOSFET 晶体管 尺寸 3 x 3 x 0.86mm  Infineon MOSFET 晶体管 尺寸 3 x 3 x 0.86mm   典型关断延迟时间 38 ns  Infineon 典型关断延迟时间 38 ns  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 38 ns  Infineon MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 38 ns   典型接通延迟时间 9.1 ns  Infineon 典型接通延迟时间 9.1 ns  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 9.1 ns  Infineon MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 9.1 ns   典型输入电容值@Vds 240 pF @ 15 V  Infineon 典型输入电容值@Vds 240 pF @ 15 V  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 240 pF @ 15 V  Infineon MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 240 pF @ 15 V   典型栅极电荷@Vgs 5.4 nC @ 4.5 V  Infineon 典型栅极电荷@Vgs 5.4 nC @ 4.5 V  MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 5.4 nC @ 4.5 V  Infineon MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 5.4 nC @ 4.5 V   封装类型 MSOP  Infineon 封装类型 MSOP  MOSFET 晶体管 封装类型 MSOP  Infineon MOSFET 晶体管 封装类型 MSOP   高度 0.86mm  Infineon 高度 0.86mm  MOSFET 晶体管 高度 0.86mm  Infineon MOSFET 晶体管 高度 0.86mm   晶体管材料 Si  Infineon 晶体管材料 Si  MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si  Infineon MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si   晶体管配置 单  Infineon 晶体管配置 单  MOSFET 晶体管 晶体管配置 单  Infineon MOSFET 晶体管 晶体管配置 单   宽度 3mm  Infineon 宽度 3mm  MOSFET 晶体管 宽度 3mm  Infineon MOSFET 晶体管 宽度 3mm   类别 功率 MOSFET  Infineon 类别 功率 MOSFET  MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET  Infineon MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET   每片芯片元件数目 1  Infineon 每片芯片元件数目 1  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1  Infineon MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1   通道类型 P  Infineon 通道类型 P  MOSFET 晶体管 通道类型 P  Infineon MOSFET 晶体管 通道类型 P   通道模式 增强  Infineon 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  Infineon MOSFET 晶体管 通道模式 增强   系列 FETKY  Infineon 系列 FETKY  MOSFET 晶体管 系列 FETKY  Infineon MOSFET 晶体管 系列 FETKY   引脚数目 8  Infineon 引脚数目 8  MOSFET 晶体管 引脚数目 8  Infineon MOSFET 晶体管 引脚数目 8   最大功率耗散 1250 mW  Infineon 最大功率耗散 1250 mW  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 1250 mW  Infineon MOSFET 晶体管 最大功率耗散 1250 mW   最大连续漏极电流 1.7 A  Infineon 最大连续漏极电流 1.7 A  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 1.7 A  Infineon MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 1.7 A   最大漏源电压 20 V  Infineon 最大漏源电压 20 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 20 V  Infineon MOSFET 晶体管 最大漏源电压 20 V   最大漏源电阻值 270 mΩ  Infineon 最大漏源电阻值 270 mΩ  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 270 mΩ  Infineon MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 270 mΩ   最大栅阈值电压 0.7V  Infineon 最大栅阈值电压 0.7V  MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 0.7V  Infineon MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 0.7V   最大栅源电压 ±12 V  Infineon 最大栅源电压 ±12 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±12 V  Infineon MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±12 V   最低工作温度 -55 °C  Infineon 最低工作温度 -55 °C  MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C  Infineon MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C   最高工作温度 +150 °C  Infineon 最高工作温度 +150 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  Infineon MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C   最小栅阈值电压 0.7V  Infineon 最小栅阈值电压 0.7V  MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 0.7V  Infineon MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 0.7V  
电话:400-900-3095
QQ:800152669

IRF7524D1TRPBF产品技术参数资料

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