MMBF4393LT1G,864-7846,ON Semiconductor MMBF4393LT1G N通道 JFET 晶体管, Vds=30 V, Idss: 5 → 30mA, 3引脚 SOT-23封装 ,ON Semiconductor
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MMBF4393LT1G
ON Semiconductor MMBF4393LT1G N通道 JFET 晶体管, Vds=30 V, Idss: 5 → 30mA, 3引脚 SOT-23封装
制造商零件编号：
MMBF4393LT1G
制造商：
ON Semiconductor
ON Semiconductor
库存编号：
864-7846
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
MMBF4393LT1G产品技术参数
Idss 漏-源切断电流
5 → 30mA
安装类型
表面贴装
长度
3.04mm
尺寸
3.04 x 1.4 x 1.01mm
封装类型
SOT-23
高度
1.01mm
宽度
1.4mm
漏门导通电容值
14 pF@ 0 V
配置
单
通道类型
N
引脚数目
3
源门导通电容值
14 pF@ -15 V
最大漏门电压
30V
最大漏源电压
30 V
最大漏源电阻值
100 Ω
最大栅源电压
30 V
最低工作温度
-55 °C
最高工作温度
+150 °C
关键词
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ON Semiconductor Idss 漏-源切断电流 5 → 30mA
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ON Semiconductor JFET 晶体管 Idss 漏-源切断电流 5 → 30mA
安装类型 表面贴装
ON Semiconductor 安装类型 表面贴装
JFET 晶体管 安装类型 表面贴装
ON Semiconductor JFET 晶体管 安装类型 表面贴装
长度 3.04mm
ON Semiconductor 长度 3.04mm
JFET 晶体管 长度 3.04mm
ON Semiconductor JFET 晶体管 长度 3.04mm
尺寸 3.04 x 1.4 x 1.01mm
ON Semiconductor 尺寸 3.04 x 1.4 x 1.01mm
JFET 晶体管 尺寸 3.04 x 1.4 x 1.01mm
ON Semiconductor JFET 晶体管 尺寸 3.04 x 1.4 x 1.01mm
封装类型 SOT-23
ON Semiconductor 封装类型 SOT-23
JFET 晶体管 封装类型 SOT-23
ON Semiconductor JFET 晶体管 封装类型 SOT-23
高度 1.01mm
ON Semiconductor 高度 1.01mm
JFET 晶体管 高度 1.01mm
ON Semiconductor JFET 晶体管 高度 1.01mm
宽度 1.4mm
ON Semiconductor 宽度 1.4mm
JFET 晶体管 宽度 1.4mm
ON Semiconductor JFET 晶体管 宽度 1.4mm
漏门导通电容值 14 pF@ 0 V
ON Semiconductor 漏门导通电容值 14 pF@ 0 V
JFET 晶体管 漏门导通电容值 14 pF@ 0 V
ON Semiconductor JFET 晶体管 漏门导通电容值 14 pF@ 0 V
配置 单
ON Semiconductor 配置 单
JFET 晶体管 配置 单
ON Semiconductor JFET 晶体管 配置 单
通道类型 N
ON Semiconductor 通道类型 N
JFET 晶体管 通道类型 N
ON Semiconductor JFET 晶体管 通道类型 N
引脚数目 3
ON Semiconductor 引脚数目 3
JFET 晶体管 引脚数目 3
ON Semiconductor JFET 晶体管 引脚数目 3
源门导通电容值 14 pF@ -15 V
ON Semiconductor 源门导通电容值 14 pF@ -15 V
JFET 晶体管 源门导通电容值 14 pF@ -15 V
ON Semiconductor JFET 晶体管 源门导通电容值 14 pF@ -15 V
最大漏门电压 30V
ON Semiconductor 最大漏门电压 30V
JFET 晶体管 最大漏门电压 30V
ON Semiconductor JFET 晶体管 最大漏门电压 30V
最大漏源电压 30 V
ON Semiconductor 最大漏源电压 30 V
JFET 晶体管 最大漏源电压 30 V
ON Semiconductor JFET 晶体管 最大漏源电压 30 V
最大漏源电阻值 100 Ω
ON Semiconductor 最大漏源电阻值 100 Ω
JFET 晶体管 最大漏源电阻值 100 Ω
ON Semiconductor JFET 晶体管 最大漏源电阻值 100 Ω
最大栅源电压 30 V
ON Semiconductor 最大栅源电压 30 V
JFET 晶体管 最大栅源电压 30 V
ON Semiconductor JFET 晶体管 最大栅源电压 30 V
最低工作温度 -55 °C
ON Semiconductor 最低工作温度 -55 °C
JFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C
ON Semiconductor JFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C
最高工作温度 +150 °C
ON Semiconductor 最高工作温度 +150 °C
JFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C
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MMBF4393LT1G产品技术参数资料
Datasheet
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