STGW25S120DF3,906-2814,STMicroelectronics STGW25S120DF3 N沟道 IGBT, 50 A, Vce=1200 V, 3引脚 TO-247封装 ,STMicroelectronics
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STMicroelectronics STGW25S120DF3 N沟道 IGBT, 50 A, Vce=1200 V, 3引脚 TO-247封装

制造商零件编号：
STGW25S120DF3
库存编号：
906-2814
STMicroelectronics STGW25S120DF3
声明：图片仅供参考，请以实物为准！

STGW25S120DF3产品详细信息

IGBT 分立，STMicroelectronics

STGW25S120DF3产品技术参数

  安装类型  通孔  
  长度  15.75mm  
  尺寸  15.75 x 5.15 x 20.15mm  
  额定能量  4.88mJ  
  封装类型  TO-247  
  高度  20.15mm  
  晶体管配置  单  
  宽度  5.15mm  
  通道类型  N  
  引脚数目  3  
  栅极电容  1600pF  
  最大功率耗散  375 W  
  最大集电极-发射极电压  1200 V  
  最大连续集电极电流  50 A  
  最大栅极发射极电压  ±20V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +175 °C  
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