STGD5NB120SZT4,877-2879,STMicroelectronics STGD5NB120SZT4 N沟道 IGBT, 10 A, Vce=1200 V, 3引脚 DPAK封装 ,STMicroelectronics
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STMicroelectronics STGD5NB120SZT4 N沟道 IGBT, 10 A, Vce=1200 V, 3引脚 DPAK封装

制造商零件编号：
STGD5NB120SZT4
库存编号：
877-2879
STMicroelectronics STGD5NB120SZT4
声明：图片仅供参考，请以实物为准！

STGD5NB120SZT4产品详细信息

IGBT 分立，STMicroelectronics

STGD5NB120SZT4产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  6.6mm  
  尺寸  6.6 x 6.2 x 2.4mm  
  额定能量  12.68mJ  
  封装类型  DPAK  
  高度  2.4mm  
  晶体管配置  单  
  宽度  6.2mm  
  通道类型  N  
  引脚数目  3  
  栅极电容  430pF  
  最大功率耗散  75 W  
  最大集电极-发射极电压  1200 V  
  最大连续集电极电流  10 A  
  最大栅极发射极电压  ±20V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
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STGD5NB120SZT4配套附件

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STGD5NB120SZT4相关搜索

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STGD5NB120SZT4产品技术参数资料

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