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Fairchild Semiconductor FGH40N60SMD_F085 N沟道 IGBT, 80 A, Vce=600 V, 3引脚 TO-247封装

制造商零件编号：
FGH40N60SMD_F085
库存编号：
864-8852
Fairchild Semiconductor FGH40N60SMD_F085
声明：图片仅供参考，请以实物为准！

FGH40N60SMD_F085产品详细信息

汽车 IGBT，Fairchild Semiconductor

来自 Fairchild Semiconductor 的一系列场截止沟道 IGBT，已通过压力测试，并符合 AEC-Q101 标准。

特点

• 正温度系数易于并行操作
• 高电流容量
• 低饱和电压
• 高输入阻抗
• 收紧参数分布

RS 产品代码


864-8792 FGB20N60SFD_F085 IGBT 600V 20A D2PAK-2
864-8852 FGH40N60SMD_F085 IGBT 600V 40A TO247
864-8877 FGH60N60SMD_F085 IGBT 600V 60A TO247
135-8687 FGB40T65SPD_F085 IGBT 650V 40A TO263
135-8663 FGB40T65SPD_F085 IGBT 650V 40A TO263（每包 800 个）
864-8871 FGH75T65UPD_F085 IGBT 650V 75A TO247
124-1447 FGH75T65UPD_F085 IGBT 650V 75A TO247（每包 30 个）

注

所述电流额定值在结点温度为 Tc = +100°C 时适用。

标准

AEC-Q101

FGH40N60SMD_F085产品技术参数

  安装类型  通孔  
  长度  15.6mm  
  尺寸  15.6 x 4.7 x 20.6mm  
  封装类型  TO-247  
  高度  20.6mm  
  晶体管配置  单  
  宽度  4.7mm  
  通道类型  N  
  引脚数目  3  
  最大功率耗散  349 W  
  最大集电极-发射极电压  600 V  
  最大连续集电极电流  80 A  
  最大栅极发射极电压  ±20V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +175 °C  
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FGH40N60SMD_F085产品技术参数资料

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