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STMicroelectronics STGWT80H65DFB N沟道 IGBT, 120 A, Vce=650 V, 1MHz, 3引脚 TO-3P封装

制造商零件编号：
STGWT80H65DFB
库存编号：
829-7136
STMicroelectronics STGWT80H65DFB
声明：图片仅供参考，请以实物为准！

STGWT80H65DFB产品详细信息

IGBT 分立，STMicroelectronics

STGWT80H65DFB产品技术参数

  安装类型  通孔  
  长度  15.8mm  
  尺寸  15.8 x 5 x 20.1mm  
  封装类型  TO-3P  
  高度  20.1mm  
  晶体管配置  单  
  开关速度  1MHz  
  宽度  5mm  
  通道类型  N  
  引脚数目  3  
  最大功率耗散  469 W  
  最大集电极-发射极电压  650 V  
  最大连续集电极电流  120 A  
  最大栅极发射极电压  ±20V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +175 °C  
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