ISL9V5036P3_F085,807-8751,Fairchild Semiconductor ISL9V5036P3_F085 N沟道 IGBT, 46 A, Vce=300 V, 1MHz, 3引脚 TO-220AA封装 ,Fairchild Semiconductor
ROHM代理商
专业代理销售ROHM(罗姆)全系列产品
美国1号分类选型新加坡2号分类选型英国10号分类选型英国2号分类选型日本5号分类选型

在本站结果里搜索:    
热门搜索词:万用表  电容  molex  连接器  NSX系列  63V 5mm  TDC180-5A  H8670VBAAA  804-8394  TDC180-5A

Fairchild Semiconductor ISL9V5036P3_F085 N沟道 IGBT, 46 A, Vce=300 V, 1MHz, 3引脚 TO-220AA封装

制造商零件编号:
ISL9V5036P3_F085
库存编号:
807-8751
Fairchild Semiconductor ISL9V5036P3_F085
声明:图片仅供参考,请以实物为准!

ISL9V5036P3_F085产品详细信息

汽车点火开关 IGBT,Fairchild Semiconductor

这些 EcoSPARK IGBT 设备经过优化,可用于驱动汽车点火线圈。它们已通过压力测试,并符合 AEC-Q101 标准。

特点

• 逻辑电平栅极驱动
• ESD 保护
• 应用:汽车点火线圈驱动器电路、火花塞上线圈应用。

RS 产品代码


864-8802 FGB3040CS 400V 20A D2PAK

864-8805 FGB3040G2_F085 400V 25A DPAK-2

807-0767 FGD3040G2_F085 400V 25A DPAK

864-8880 FGI3040G2_F085 400V 25A I2PAK

864-8899 FGP3040G2_F085 400V 25A TO220

864-8809 FGB3245G2_F085 450V 23A D2PAK-2

864-8827 FGD3245G2_F085 450V 23A DPAK

807-0776 FGD3440G2_F085 400V 25A DPAK

864-8818 FGB3440G2_F085 400V 25A D2PAK-2

864-8893 FGP3440G2_F085 400V 25A TO220

807-8751 ISL9V5036P3_F085 360V 31A TO220

862-9369 ISL9V5045S3ST_F085 450V 43A D2PAK

所述电流额定值在接点温度 Tc = +110°C 时适用。

标准

AEC-Q101

ISL9V5036P3_F085产品技术参数

  安装类型  通孔  
  长度  10.67mm  
  尺寸  10.67 x 4.7 x 16.3mm  
  封装类型  TO-220AA  
  高度  16.3mm  
  晶体管配置  单  
  开关速度  1MHz  
  宽度  4.7mm  
  通道类型  N  
  引脚数目  3  
  最大功率耗散  250 W  
  最大集电极-发射极电压  300 V  
  最大连续集电极电流  46 A  
  最大栅极发射极电压  ±10V  
  最低工作温度  -40 °C  
  最高工作温度  +175 °C  
关键词         

ISL9V5036P3_F085关联产品

  • 产品描述 / 参考图片
  • 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
  • 操作

ISL9V5036P3_F085相关搜索

安装类型 通孔  Fairchild Semiconductor 安装类型 通孔  IGBT 晶体管 安装类型 通孔  Fairchild Semiconductor IGBT 晶体管 安装类型 通孔   长度 10.67mm  Fairchild Semiconductor 长度 10.67mm  IGBT 晶体管 长度 10.67mm  Fairchild Semiconductor IGBT 晶体管 长度 10.67mm   尺寸 10.67 x 4.7 x 16.3mm  Fairchild Semiconductor 尺寸 10.67 x 4.7 x 16.3mm  IGBT 晶体管 尺寸 10.67 x 4.7 x 16.3mm  Fairchild Semiconductor IGBT 晶体管 尺寸 10.67 x 4.7 x 16.3mm   封装类型 TO-220AA  Fairchild Semiconductor 封装类型 TO-220AA  IGBT 晶体管 封装类型 TO-220AA  Fairchild Semiconductor IGBT 晶体管 封装类型 TO-220AA   高度 16.3mm  Fairchild Semiconductor 高度 16.3mm  IGBT 晶体管 高度 16.3mm  Fairchild Semiconductor IGBT 晶体管 高度 16.3mm   晶体管配置 单  Fairchild Semiconductor 晶体管配置 单  IGBT 晶体管 晶体管配置 单  Fairchild Semiconductor IGBT 晶体管 晶体管配置 单   开关速度 1MHz  Fairchild Semiconductor 开关速度 1MHz  IGBT 晶体管 开关速度 1MHz  Fairchild Semiconductor IGBT 晶体管 开关速度 1MHz   宽度 4.7mm  Fairchild Semiconductor 宽度 4.7mm  IGBT 晶体管 宽度 4.7mm  Fairchild Semiconductor IGBT 晶体管 宽度 4.7mm   通道类型 N  Fairchild Semiconductor 通道类型 N  IGBT 晶体管 通道类型 N  Fairchild Semiconductor IGBT 晶体管 通道类型 N   引脚数目 3  Fairchild Semiconductor 引脚数目 3  IGBT 晶体管 引脚数目 3  Fairchild Semiconductor IGBT 晶体管 引脚数目 3   最大功率耗散 250 W  Fairchild Semiconductor 最大功率耗散 250 W  IGBT 晶体管 最大功率耗散 250 W  Fairchild Semiconductor IGBT 晶体管 最大功率耗散 250 W   最大集电极-发射极电压 300 V  Fairchild Semiconductor 最大集电极-发射极电压 300 V  IGBT 晶体管 最大集电极-发射极电压 300 V  Fairchild Semiconductor IGBT 晶体管 最大集电极-发射极电压 300 V   最大连续集电极电流 46 A  Fairchild Semiconductor 最大连续集电极电流 46 A  IGBT 晶体管 最大连续集电极电流 46 A  Fairchild Semiconductor IGBT 晶体管 最大连续集电极电流 46 A   最大栅极发射极电压 ±10V  Fairchild Semiconductor 最大栅极发射极电压 ±10V  IGBT 晶体管 最大栅极发射极电压 ±10V  Fairchild Semiconductor IGBT 晶体管 最大栅极发射极电压 ±10V   最低工作温度 -40 °C  Fairchild Semiconductor 最低工作温度 -40 °C  IGBT 晶体管 最低工作温度 -40 °C  Fairchild Semiconductor IGBT 晶体管 最低工作温度 -40 °C   最高工作温度 +175 °C  Fairchild Semiconductor 最高工作温度 +175 °C  IGBT 晶体管 最高工作温度 +175 °C  Fairchild Semiconductor IGBT 晶体管 最高工作温度 +175 °C  
电话:400-900-3095
QQ:800152669
ROHM半导体简介  |  ROHM产品  |  ROHM动态  |  产品应用  |  按产品系列选型  |  按产品规格选型  |  ROHM选型手册
Copyright © 2017 http://www.rohm-chip.com All Rights Reserved. 技术支持:电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号