FGPF50N33BTTU,807-0798,Fairchild Semiconductor FGPF50N33BTTU N沟道 IGBT, 50 A, Vce=330 V, 1MHz, 3引脚 TO-220F封装 ,Fairchild Semiconductor
ROHM代理商
专业代理销售ROHM（罗姆）全系列产品
美国1号分类选型新加坡2号分类选型英国10号分类选型英国2号分类选型日本5号分类选型

在本站结果里搜索：    
热门搜索词：万用表  电容  molex  连接器  NSX系列  63V 5mm  TDC180-5A  H8670VBAAA  804-8394  TDC180-5A

Fairchild Semiconductor FGPF50N33BTTU N沟道 IGBT, 50 A, Vce=330 V, 1MHz, 3引脚 TO-220F封装

制造商零件编号：
FGPF50N33BTTU
库存编号：
807-0798
Fairchild Semiconductor FGPF50N33BTTU
声明：图片仅供参考，请以实物为准！

FGPF50N33BTTU产品详细信息

分离式 IGBT，Fairchild Semiconductor

FGPF50N33BTTU产品技术参数

  安装类型  通孔  
  长度  10.36mm  
  尺寸  10.36 x 2.74 x 16.07mm  
  封装类型  TO-220F  
  高度  16.07mm  
  晶体管配置  单  
  开关速度  1MHz  
  宽度  2.74mm  
  通道类型  N  
  引脚数目  3  
  最大功率耗散  43 W  
  最大集电极-发射极电压  330 V  
  最大连续集电极电流  50 A  
  最大栅极发射极电压  ±30V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
关键词         

FGPF50N33BTTU相关搜索

安装类型 通孔  Fairchild Semiconductor 安装类型 通孔  IGBT 晶体管 安装类型 通孔  Fairchild Semiconductor IGBT 晶体管 安装类型 通孔   长度 10.36mm  Fairchild Semiconductor 长度 10.36mm  IGBT 晶体管 长度 10.36mm  Fairchild Semiconductor IGBT 晶体管 长度 10.36mm   尺寸 10.36 x 2.74 x 16.07mm  Fairchild Semiconductor 尺寸 10.36 x 2.74 x 16.07mm  IGBT 晶体管 尺寸 10.36 x 2.74 x 16.07mm  Fairchild Semiconductor IGBT 晶体管 尺寸 10.36 x 2.74 x 16.07mm   封装类型 TO-220F  Fairchild Semiconductor 封装类型 TO-220F  IGBT 晶体管 封装类型 TO-220F  Fairchild Semiconductor IGBT 晶体管 封装类型 TO-220F   高度 16.07mm  Fairchild Semiconductor 高度 16.07mm  IGBT 晶体管 高度 16.07mm  Fairchild Semiconductor IGBT 晶体管 高度 16.07mm   晶体管配置 单  Fairchild Semiconductor 晶体管配置 单  IGBT 晶体管 晶体管配置 单  Fairchild Semiconductor IGBT 晶体管 晶体管配置 单   开关速度 1MHz  Fairchild Semiconductor 开关速度 1MHz  IGBT 晶体管 开关速度 1MHz  Fairchild Semiconductor IGBT 晶体管 开关速度 1MHz   宽度 2.74mm  Fairchild Semiconductor 宽度 2.74mm  IGBT 晶体管 宽度 2.74mm  Fairchild Semiconductor IGBT 晶体管 宽度 2.74mm   通道类型 N  Fairchild Semiconductor 通道类型 N  IGBT 晶体管 通道类型 N  Fairchild Semiconductor IGBT 晶体管 通道类型 N   引脚数目 3  Fairchild Semiconductor 引脚数目 3  IGBT 晶体管 引脚数目 3  Fairchild Semiconductor IGBT 晶体管 引脚数目 3   最大功率耗散 43 W  Fairchild Semiconductor 最大功率耗散 43 W  IGBT 晶体管 最大功率耗散 43 W  Fairchild Semiconductor IGBT 晶体管 最大功率耗散 43 W   最大集电极-发射极电压 330 V  Fairchild Semiconductor 最大集电极-发射极电压 330 V  IGBT 晶体管 最大集电极-发射极电压 330 V  Fairchild Semiconductor IGBT 晶体管 最大集电极-发射极电压 330 V   最大连续集电极电流 50 A  Fairchild Semiconductor 最大连续集电极电流 50 A  IGBT 晶体管 最大连续集电极电流 50 A  Fairchild Semiconductor IGBT 晶体管 最大连续集电极电流 50 A   最大栅极发射极电压 ±30V  Fairchild Semiconductor 最大栅极发射极电压 ±30V  IGBT 晶体管 最大栅极发射极电压 ±30V  Fairchild Semiconductor IGBT 晶体管 最大栅极发射极电压 ±30V   最低工作温度 -55 °C  Fairchild Semiconductor 最低工作温度 -55 °C  IGBT 晶体管 最低工作温度 -55 °C  Fairchild Semiconductor IGBT 晶体管 最低工作温度 -55 °C   最高工作温度 +150 °C  Fairchild Semiconductor 最高工作温度 +150 °C  IGBT 晶体管 最高工作温度 +150 °C  Fairchild Semiconductor IGBT 晶体管 最高工作温度 +150 °C  
电话:400-900-3095
QQ:800152669

FGPF50N33BTTU产品技术参数资料

ROHM半导体简介  |  ROHM产品  |  ROHM动态  |  产品应用  |  按产品系列选型  |  按产品规格选型  |  ROHM选型手册
Copyright © 2017 http://www.rohm-chip.com All Rights Reserved. 技术支持：电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号