IRGP30B120KD-EP,784-0319,Infineon IRGP30B120KD-EP N沟道 IGBT, 60 A, Vce=1200 V, 3引脚 TO-247AD封装 ,Infineon
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Infineon IRGP30B120KD-EP N沟道 IGBT, 60 A, Vce=1200 V, 3引脚 TO-247AD封装

制造商零件编号：
IRGP30B120KD-EP
库存编号：
784-0319
Infineon IRGP30B120KD-EP
声明：图片仅供参考，请以实物为准！

IRGP30B120KD-EP产品详细信息

Co-Pack IGBT 超过 21A，Infineon

Infineon 的隔离栅极双极晶体管 (IGBT) 为用户提供完整系列选项，以确保覆盖您的应用。 高效额定值使此系列 IGBT 可用于各种应用，且由于具有低切换损耗，可支持各种切换频率。

IGBT 带组合封装快速软恢复并联二极管，用于桥式配置

IRGP30B120KD-EP产品技术参数

  安装类型  通孔  
  长度  15.7mm  
  尺寸  15.7 x 5.1 x 18.7mm  
  封装类型  TO-247AD  
  高度  18.7mm  
  晶体管配置  单  
  宽度  5.1mm  
  通道类型  N  
  引脚数目  3  
  最大功率耗散  300 W  
  最大集电极-发射极电压  1200 V  
  最大连续集电极电流  60 A  
  最大栅极发射极电压  ±20V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
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