IXGH32N170,194-899,IXYS IXGH32N170 N沟道 IGBT, 75 A, Vce=1700 V, 3引脚 TO-247AD封装 ,IXYS
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IXYS IXGH32N170 N沟道 IGBT, 75 A, Vce=1700 V, 3引脚 TO-247AD封装

制造商零件编号:
IXGH32N170
制造商:
IXYS IXYS
库存编号:
194-899
IXYS IXGH32N170
声明:图片仅供参考,请以实物为准!

IXGH32N170产品详细信息

IGBT 分立,IXYS

IXGH32N170产品技术参数

  安装类型  通孔  
  长度  16.26mm  
  尺寸  16.26 x 5.3 x 21.46mm  
  封装类型  TO-247AD  
  高度  21.46mm  
  晶体管配置  单  
  宽度  5.3mm  
  通道类型  N  
  引脚数目  3  
  最大集电极-发射极电压  1700 V  
  最大连续集电极电流  75 A  
  最大栅极发射极电压  ±20V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
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IXGH32N170产品技术参数资料

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