SKM300GB125D,468-2498,Semikron SKM300GB125D N通道 IGBT 模块, 双半桥, 300 A, Vce=1200 V, 7引脚 SEMITRANS3封装 ,Semikron
ROHM代理商
专业代理销售ROHM(罗姆)全系列产品
美国1号分类选型新加坡2号分类选型英国10号分类选型英国2号分类选型日本5号分类选型

在本站结果里搜索:    
热门搜索词:万用表  电容  molex  连接器  NSX系列  63V 5mm  TDC180-5A  H8670VBAAA  804-8394  TDC180-5A

Semikron SKM300GB125D N通道 IGBT 模块, 双半桥, 300 A, Vce=1200 V, 7引脚 SEMITRANS3封装

制造商零件编号:
SKM300GB125D
库存编号:
468-2498
Semikron SKM300GB125D
声明:图片仅供参考,请以实物为准!

SKM300GB125D产品详细信息

双 IGBT 模块

Semikron SEMITOP? IGBT 模块包含两个串联(半桥)IGBT 设备。该模块提供各种电压和电流额定值,且适用于各种功率切换应用,如交流变频电动机驱动器和不间断电源。

紧凑型 SEMITOP? 封装
适用于高达 12kHz 的切换频率
绝缘铜基板使用直接粘结技术

SKM300GB125D产品技术参数

  安装类型  面板安装  
  长度  106.4mm  
  尺寸  106.4 x 61.4 x 30.5mm  
  封装类型  SEMITRANS3  
  高度  30.5mm  
  晶体管配置  串行  
  宽度  61.4mm  
  配置  双半桥  
  通道类型  N  
  引脚数目  7  
  最大集电极-发射极电压  1200 V  
  最大连续集电极电流  300 A  
  最大栅极发射极电压  ±20V  
  最低工作温度  -40°C  
  最高工作温度  +150 °C  
关键词         

SKM300GB125D配套附件

  • 产品描述 / 参考图片
  • 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
  • 操作

SKM300GB125D关联产品

  • 产品描述 / 参考图片
  • 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
  • 操作

SKM300GB125D相关搜索

安装类型 面板安装  Semikron 安装类型 面板安装  IGBT 晶体管模块 安装类型 面板安装  Semikron IGBT 晶体管模块 安装类型 面板安装   长度 106.4mm  Semikron 长度 106.4mm  IGBT 晶体管模块 长度 106.4mm  Semikron IGBT 晶体管模块 长度 106.4mm   尺寸 106.4 x 61.4 x 30.5mm  Semikron 尺寸 106.4 x 61.4 x 30.5mm  IGBT 晶体管模块 尺寸 106.4 x 61.4 x 30.5mm  Semikron IGBT 晶体管模块 尺寸 106.4 x 61.4 x 30.5mm   封装类型 SEMITRANS3  Semikron 封装类型 SEMITRANS3  IGBT 晶体管模块 封装类型 SEMITRANS3  Semikron IGBT 晶体管模块 封装类型 SEMITRANS3   高度 30.5mm  Semikron 高度 30.5mm  IGBT 晶体管模块 高度 30.5mm  Semikron IGBT 晶体管模块 高度 30.5mm   晶体管配置 串行  Semikron 晶体管配置 串行  IGBT 晶体管模块 晶体管配置 串行  Semikron IGBT 晶体管模块 晶体管配置 串行   宽度 61.4mm  Semikron 宽度 61.4mm  IGBT 晶体管模块 宽度 61.4mm  Semikron IGBT 晶体管模块 宽度 61.4mm   配置 双半桥  Semikron 配置 双半桥  IGBT 晶体管模块 配置 双半桥  Semikron IGBT 晶体管模块 配置 双半桥   通道类型 N  Semikron 通道类型 N  IGBT 晶体管模块 通道类型 N  Semikron IGBT 晶体管模块 通道类型 N   引脚数目 7  Semikron 引脚数目 7  IGBT 晶体管模块 引脚数目 7  Semikron IGBT 晶体管模块 引脚数目 7   最大集电极-发射极电压 1200 V  Semikron 最大集电极-发射极电压 1200 V  IGBT 晶体管模块 最大集电极-发射极电压 1200 V  Semikron IGBT 晶体管模块 最大集电极-发射极电压 1200 V   最大连续集电极电流 300 A  Semikron 最大连续集电极电流 300 A  IGBT 晶体管模块 最大连续集电极电流 300 A  Semikron IGBT 晶体管模块 最大连续集电极电流 300 A   最大栅极发射极电压 ±20V  Semikron 最大栅极发射极电压 ±20V  IGBT 晶体管模块 最大栅极发射极电压 ±20V  Semikron IGBT 晶体管模块 最大栅极发射极电压 ±20V   最低工作温度 -40°C  Semikron 最低工作温度 -40°C  IGBT 晶体管模块 最低工作温度 -40°C  Semikron IGBT 晶体管模块 最低工作温度 -40°C   最高工作温度 +150 °C  Semikron 最高工作温度 +150 °C  IGBT 晶体管模块 最高工作温度 +150 °C  Semikron IGBT 晶体管模块 最高工作温度 +150 °C  
电话:400-900-3095
QQ:800152669

SKM300GB125D产品技术参数资料

ROHM半导体简介  |  ROHM产品  |  ROHM动态  |  产品应用  |  按产品系列选型  |  按产品规格选型  |  ROHM选型手册
Copyright © 2017 http://www.rohm-chip.com All Rights Reserved. 技术支持:电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号